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J-GLOBAL ID：201202233464738632   整理番号：12A0495297

同時スパッタリング法による低抵抗率透明伝導性のNbドープしたTiO₂膜の調製

Preparation of Low Resistivity Transparent Conductive Nb-Doped TiO₂ Films by the Co-sputtering Method

著者 (5件)： LI Meng-Chi (National Central Univ., Chungli, TWN) ,  KUO Chien-Cheng (National Central Univ., Chungli, TWN) ,  PENG Ssu-Hsiang (National Central Univ., Chungli, TWN) ,  CHEN Sheng-Hui (National Central Univ., Chungli, TWN) ,  LEE Cheng-Chung (National Central Univ., Chungli, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 2,Issue 1  ページ： 025504.1-025504.4  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低抵抗率のNbドープしたTiO₂透明伝導性酸化物(TNO)薄膜を,室温におけるパルス直流マグネトロン同時スパッタリングと,焼鈍処理によって達成した。パルス直流パワーは反応性スパッタリングの安定化を提供する。Nbターゲットの直流パワーは,TNO膜における最適Nb含有量を見いだすために制御する。担体濃度はTNO膜におけるNb含有量に線形に比例する。最低抵抗率はNbの24Wの直流パワーにおいて,4.55×10^-4Ωcmと測定し,可視光領域における平均吸収率は,種々の直流パワーについて8%より小さかった。接触角の結果は,TNO膜がなお表面親水性を保持し,光触媒の特性を持つことを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *透明導電膜 ,  電気抵抗率 ,  *酸化チタン ,  ニオブ ,  ドーピング ,  マグネトロンスパッタリング ,  焼なまし ,  調製 ,  室温 ,  反応性スパッタリング ,  安定化 ,  含有量 ,  キャリア ,  濃度 ,  可視光 ,  吸収係数 ,  接触角 ,  親水性 ,  光触媒
準シソーラス用語： 二酸化チタン

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (30件)：

• 1) A. Yamada, B. Sang, and M. Konagai: Appl. Surf. Sci. 112 (1997) 216.
• 2) B. Rech and H. Wagner: Appl. Phys. A 69 (1999) 155.
• 3) K. Matsubara, P. Fons, K. Iwata, A. Yamada, K. Sakurai, H. Tampo, and S. Niki: Thin Solid Films 431 (2003) 369.
• 4) M. Katayama: Thin Solid Films 341 (1999) 140.
• 5) J. F. Wager: Science 300 (2003) 1245.

タイトルに関連する用語 (6件)： 同時スパッタリング ,  低抵抗 ,  Nb ,  ドープ ,  TiO2 ,  調製