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J-GLOBAL ID：201202234201059761   整理番号：12A0582085

走査非線形 誘電顕微鏡を使った高次非線形誘電率の検出による金属-酸化物-窒化物-酸化物-半導体フラッシュメモリ ゲート薄膜の局所化電子の視覚化

Visualization of Electrons Localized in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Flash Memory Thin Gate Films by Detecting High-Order Nonlinear Permittivity Using Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy

著者 (2件)： HONDA Koichiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CHO Yasuo (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 3  ページ： 036602.1-036602.3  発行年： 2012年03月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高次非線形誘電率(ε₃₃₃₃)の検出に走査非線形誘電顕微鏡(SNDM)を用いて半導体デバイスでの電荷累積を研究した。高次SNDMは最低次非線形誘電率(ε₃₃₃)測定に用いる従来のSNDMより非常に高い分解能を持つ。高次SNDMは,小型化した金属-ONO-半導体(MONOS)フラッシュ メモリの SiO₂-SiN-SiO₂(ONO)薄膜に蓄積した高度分解電荷像の高コントラスト視覚化を可能にした。n-MONOSのONO薄膜に蓄積した電子分布のε₃₃₃₃画像は,ε₃₃₃を検出して報告された最も高いコントラストを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 金属 ,  酸化物 ,  窒化物 ,  *半導体 ,  *フラッシュメモリ ,  誘電率 ,  非線形解析 ,  分解能 ,  コントラスト ,  *可視化 ,  ゲート【半導体】 ,  *電子

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (10件)：

• PAVAN, P. Proc. IEEE. 1997, 85, 1248
• EITAN, B. IEEE Electron Device Lett. 2000, 21, 543
• HONDA, K. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 013501
• HONDA, K. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 063515
• ISHIKAWA, K. Nanotechnology. 2007, 18, 084015

タイトルに関連する用語 (12件)： 走査 ,  非線形 ,  顕微鏡 ,  誘電率 ,  酸化物 ,  窒化物 ,  フラッシュメモリ ,  ゲート ,  薄膜 ,  局所化 ,  電子 ,  視覚化