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J-GLOBAL ID：201202237582483040   整理番号：12A0589243

低光吸収係数を考慮したCu(In,Ga)Se₂太陽電池及びそのバンドプロファイルの理論解析

著者 (5件)： 平井義晃 (東京工大 大学院) ,  黒川康良 (東京工大 大学院) ,  黒川康良 (東工大 PVREC) ,  山田明 (東京工大 大学院) ,  山田明 (東工大 PVREC)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.17A-C1-1  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *セレン化物 ,  *銅化合物 ,  吸収係数 ,  キャリア移動度 ,  キャリア密度 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  バンド構造
準シソーラス用語： *CIGS ,  CIGS太陽電池 ,  *光吸収係数 ,  短絡電流密度 ,  *理論解析

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 光吸収係数 ,  Cu ,  Ga ,  太陽電池 ,  バンド ,  プロファイル ,  理論解析