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J-GLOBAL ID：201202238069831994   整理番号：12A1727248

サブ10nm珪素ナノ円板配列構造の幾何学パラメータによる光学バンドギャップエネルギーと光吸収係数の制御

Control of optical bandgap energy and optical absorption coefficient by geometric parameters in sub-10 nm silicon-nanodisc array structure

著者 (20件)： BUDIMAN Mohd Fairuz (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  HU Weiguo (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  IGARASHI Makoto (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  TSUKAMOTO Rikako (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  BUDIMAN Mohd Fairuz (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  HU Weiguo (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  IGARASHI Makoto (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  TSUKAMOTO Rikako (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  ISODA Taiga (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  ITOH Kohei M (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  ISODA Taiga (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  ITOH Kohei M (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  YAMASHITA Ichiro (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  YAMASHITA Ichiro (Panasonic Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  MURAYAMA Akihiro (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  MURAYAMA Akihiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  OKADA Yoshitaka (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  OKADA Yoshitaka (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAMUKAWA Seiji (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  SAMUKAWA Seiji (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 6  ページ： 065302,1-6  発行年： 2012年02月17日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいトップダウン工程を用いて,高密度のサブ10nm珪素ナノ円板配列を作製した。本方法は直径4.5nmの酸化鉄コアを持つリステリア菌からなるバイオテンプレートエッチングマスクと無損傷中性ビームエッチングに基づく。SiO₂基質を持つSiナノ円板配列は円板の厚みと直径を微調整でき,光学バンドギャップエネルギー(OBE)を制御し易い。Siナノ円板の直径が縮小する場合,光吸収係数とOBEが同時に増大した。ナノ円板の中心間距離が短くなると,光吸収係数が増大した。

シソーラス用語： リステリア菌 ,  *ナノ構造 ,  *光学ギャップ ,  エネルギー ,  型枠 ,  エッチング ,  *吸収係数 ,  ケイ素
準シソーラス用語： ギャップエネルギー ,  *ナノ円板 ,  バイオテンプレート ,  *光吸収係数

分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (8件)： サブ ,  珪素 ,  円板 ,  幾何学 ,  パラメータ ,  光学バンドギャップ ,  エネルギー ,  光吸収係数