低温成長の際にマグネトロンスパッタしたアモルファスSiO<sub>2</sub>薄膜に及ぼすプラズマ発生負酸素イオン衝突の影響

MACIAS-MONTERO M.; GARCIA-GARCIA F. J.; ALVAREZ R.; GIL-ROSTRA J.; GONZALEZ J. C.; COTRINO J.; GONZALEZ-ELIPE A. R.; PALMERO A.

文献

J-GLOBAL ID：201202238207851250 整理番号：12A0549666

低温成長の際にマグネトロンスパッタしたアモルファスSiO₂薄膜に及ぼすプラズマ発生負酸素イオン衝突の影響

Influence of plasma-generated negative oxygen ion impingement on magnetron sputtered amorphous SiO₂ thin films during growth at low temperatures

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高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=12A0549666&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

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資料名：
巻： 111 号： 5 ページ： 054312-054312-6 発行年： 2012年03月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

低温の反応性マグネトロンスパッタリングにより堆積したアモルファスSiO₂薄膜の成長を異なる酸素分圧下で調べた。膜の微細構造はすべて同じ屈折率である合体した垂直柱状から均一でコンパクトな微細構造に変化した。異なる微細構造の原因となるプロセスについて,以下の影響に焦点を当てて論じた(1)表面のシャドウイングメカニズム,(2)膜への正イオン衝突,及び(3)負イオン衝突。後者に従う傾向,特に運動エネルギーが20及び200eV間のO^-イオンの衝突のみが微細構造の変化と一致するとの結論を得た。全体的に,低温マグネトロンスパッタリングによるアモルファスSiO₂膜の成長は堆積反応器内の酸素量により制御され,表面シャドウイングとイオン誘起吸着原子の表面移動度間の競合に由来する二種類の主要な領域があることを実証した。(翻訳著者抄録)

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酸化物薄膜

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低温成長の際にマグネトロンスパッタしたアモルファスSiO2薄膜に及ぼすプラズマ発生負酸素イオン衝突の影響

低温成長の際にマグネトロンスパッタしたアモルファスSiO₂薄膜に及ぼすプラズマ発生負酸素イオン衝突の影響