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J-GLOBAL ID：201202238338435766   整理番号：12A1439363

22nmノードとこれを超えたスピンオンカーボンハードマスクプロセスの高いエッチング選択性

High etching selectivity of spin-on-carbon hard mask process for 22nm node and beyond

著者 (8件)： IWAO Fumiko (Tokyo Electron Kyushu LTD., Yamanashi, JPN) ,  SHIMURA Satoru (Tokyo Electron Kyushu LTD., Yamanashi, JPN) ,  KYOUDA Hideharu (Tokyo Electron Kyushu LTD., Yamanashi, JPN) ,  OYAMA Kenichi (Tokyo Electron LTD., Yamanashi, JPN) ,  YAMAUCHI Shohei (Tokyo Electron LTD., Yamanashi, JPN) ,  HARA Arisa (Tokyo Electron LTD., Yamanashi, JPN) ,  NATORI Sakurako (Tokyo Electron LTD., Yamanashi, JPN) ,  YAEGASHI Hidetami (Tokyo Electron LTD., Tokyo, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8325  ページ： 832525.1-832525.6  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多重層プロセスにおけるカーボンハードマスクは二種類に分けられる。化学気相成長法を利用するCVD-カーボン(CVD-C)と,スピンコーティング法を利用するスピン-オン-カーボン(SOC)である。CVD-C技術は高いエッチング選択性が確保できる意味では極めて魅力があるが,粒子低減に課題が残り,基板の平滑化とプロセスコストにも問題がある。その裏返しに,SOCにも魅力がある。こうした背景の下で,エッチング条件,材料とSOC硬化処理条件とを改善し,高いエッチング選択比をもたせたSOCパターン転写プロセスを実証した。しかも,30nm以下の微細なSiO₂パターン形成が可能になり,極端紫外リソグラフィー(EUVL)現像の可能性も示唆された。リソグラフィークラスタ,エッチングツールを用いるSOCを基本にした多重層プロセスの実施に基づく詳細な評価結果を報告した。

シソーラス用語： ナノメータ加工 ,  *フォトリソグラフィー ,  マスク ,  回路パターン形成 ,  選択腐食 ,  多層膜 ,  電気材料 ,  *スピンコーティング ,  *パターン転写
準シソーラス用語： EUVリソグラフィー ,  スピンオングラス ,  ハードマスク

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ノード ,  エッチング ,  選択性