オゾン分子線エピタキシで作ったデバイス-品質β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>エピタクシー膜

SASAKI Kohei; KURAMATA Akito; MASUI Takekazu; VILLORA Encarnacion G.; SHIMAMURA Kiyoshi; YAMAKOSHI Shigenobu

文献

J-GLOBAL ID：201202238423074594 整理番号：12A0582078

オゾン分子線エピタキシで作ったデバイス-品質β-Ga₂O₃エピタクシー膜

Device-Quality β-Ga₂O₃ Epitaxial Films Fabricated by Ozone Molecular Beam Epitaxy

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=12A0582078&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=12A0582078&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599C") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 5 号： 3 ページ： 035502.1-035502.3 発行年： 2012年03月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

オゾン分子線エピタキシによってN型Ga₂O₃ホモエピタキシャル厚膜を,β-Ga₂O₃(010)基板上に成長させた。(100)面から,(010)面に変えることによって,エピタキシャル成長速度は,10倍以上に増えた。エピタキシャル層のキャリア濃度は,Sn ドーピング濃度を変えることによって10¹⁶~10¹⁹cm^-3の範囲内で変えられた。厚さ1.4μmのβ-Ga₂O₃ホモエピタキシャル層のプラチナSchottkyバリヤーダイオード(SBDs)を初めて実証した。SBDsは,100Vの逆降伏電圧,2mΩcm²のオン抵抗と1.7V(200A/cm²)の順電圧を示した。(翻訳著者抄録)

, , , , , , , ,

固体デバイス材料

引用文献 (18件)：

TIPPINS, H. H. Phys. Rev. 1965, 140, A316
GELLER, S. J. Chem. Phys. 1960, 33, 676
BERMUDEZ, V. M. Chem. Phys. 2006, 323, 193
HIGASHIWAKI, M. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 013504
UEDA, N. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 3561

, ,

前のページに戻る

オゾン分子線エピタキシで作ったデバイス-品質β-Ga2O3エピタクシー膜

オゾン分子線エピタキシで作ったデバイス-品質β-Ga₂O₃エピタクシー膜