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J-GLOBAL ID：201202238570950227   整理番号：12A0108015

ポストスケーリング技術の現状と期待される新展開

Current status and future perspective in post-scaling technoplogy.

著者 (1件)： 財満鎭明 (名古屋大 大学院工学研究科)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 81  号： 1  ページ： 3-14  発行年： 2012年01月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコン超々大規模集積回路(ULSI)は,Mooreの法則を指導原理として,スケーリングに基づいた微細化を推し進めることで発展してきた。しかしながら,技術的,コスト的な面から,将来の微細化に対する壁が次第に見え始めており,スケーリングに代わる新しい技術開発指針が求められている。ここでは,微細化に依存することなしにULSIデバイスの高性能化,高集積化,高機能化を実現する技術をポストスケーリング技術として捉え,その現状を将来への期待を含めて概観する。(著者抄録)

シソーラス用語： *超LSI ,  MOSFET ,  CMOS構造 ,  半導体集積回路 ,  高密度実装 ,  三次元 ,  超小形回路技術
準シソーラス用語： *ナノエレクトロニクス

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (67件)：

• 半導体産業研究所編. 知られざる半導体のインパクト. http://www.sirij.jp/impact_j.html
• MOORE, G. E. Electronics. 1965, 38, 114
• DENNARD, R. H. IEEE J. Solid-State Circuits. 1974, 9, 256
• HISAMOTO, D. IEDM Tech. Dig., Washington, DC, 1989. 1989, 833
• 久本大. 応用物理. 2003, 72, 1136

タイトルに関連する用語 (4件)： スケーリング ,  現状 ,  期待 ,  展開