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J-GLOBAL ID：201202239234180886   整理番号：12A1712133

六方晶系窒化硼素基板上の反応性イオンエッチングしたグラフェンナノリボン

Reactive-ion-etched graphene nanoribbons on a hexagonal boron nitride substrate

著者 (7件)： BISCHOFF D. (Solid State Physics Lab., ETH Zurich, 8093 Zurich, CHE) ,  KRAEHENMANN T. (Solid State Physics Lab., ETH Zurich, 8093 Zurich, CHE) ,  DROESCHER S. (Solid State Physics Lab., ETH Zurich, 8093 Zurich, CHE) ,  GRUNER M. A. (Solid State Physics Lab., ETH Zurich, 8093 Zurich, CHE) ,  BARRAUD C. (Solid State Physics Lab., ETH Zurich, 8093 Zurich, CHE) ,  IHN T. (Solid State Physics Lab., ETH Zurich, 8093 Zurich, CHE) ,  ENSSLIN K. (Solid State Physics Lab., ETH Zurich, 8093 Zurich, CHE)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 20  ページ： 203103-203103-4  発行年： 2012年11月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 六方晶系窒化硼素基板上の単層グラフェンのミクロン大素子及びナノリボンの作製と電気特性について報告する。二酸化珪素基板上に成長させた素子に比べて,ミクロン大素子の移動度は有意に高く,無秩序密度は低かった。しかし,六方晶系窒化硼素上の反応性イオンエッチングしたグラフェンナノリボンの輸送特性は二酸化珪素基板上のリボンのものに極めて似ていると思われた。類似点と相違点を明らかにするために詳細に調べた。反応性イオンエッチングしたグラフェンナノ素子中の輸送には端部が大きく影響を与えることを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ホウ素 ,  RIE【エッチング】 ,  六方晶系 ,  *炭素材 ,  *ナノ構造 ,  *リボン結晶 ,  基板 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ナノリボン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 六方晶系窒化硼素 ,  反応性イオンエッチング ,  グラフェンナノリボン