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J-GLOBAL ID：201202239376683443   整理番号：12A0854167

GaN系高効率電子デバイスの開発動向

Present status of GaN-based electron devices with high efficiency.

著者 (1件)： 葛原正明 (福井大 大学院工学研究科)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 81  号： 6  ページ： 464-470  発行年： 2012年06月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 窒化物半導体ヘテロ接合界面に誘起される2次元電子ガスをチャネルに用いるGeN系HEMT(high-electron-mobility transistor)は,その優れた材料特性を背景に,目覚ましい性能向上を続けている。本稿では,デバイスに用いるヘテロ接合半導体材料の構成やMOS(metal-oxide-semiconductor)絶縁膜の多様性に触れつつ,最新の開発動向,競合する技術間の比較,および今後に期待される技術開発の展望について解説する。(著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  二次元電子ガス ,  MOS構造 ,  絶縁膜 ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  窒化物 ,  ガリウム化合物 ,  遮断周波数 ,  電圧 ,  モード ,  漏れ電流 ,  絶縁破壊 ,  窒化インジウムアルミニウム ,  絶縁破壊電圧
準シソーラス用語： 窒化アルミニウムインジウム ,  破壊電圧 ,  エンハンスメントモード

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (59件)：

• 1) B. Gelmont, K. Kim and M. Shur: J. Appl. Phys. 74, 1818 (1993).
• 2) D. S. Lee, X. Gao, S. Guo, D. Kopp, P. Fay and T. Palacios: IEEE Electron Device Lett. 32, 1525 (2011).
• 3) K.Shinohara,D.Regan,A.Corrion,D.Brown,S.Burnham,P. J. Willadsen, I. Alvarado-Rodriguez, M . Cunningham, C. Butler, A. Schmitz, S. Kim, B. Holden, D. Chang, V. Lee, A. Ohoka, P. M. Asbeck and M. Micovic: IEDM Tech. Dig. 453 (2011).
• 4) M. Higashiwaki, T. Mimura and T. M atsui : Appl. Phys. Express 1, 021103 (2008).
• 5) H. Sun, A. R. Alt, H. Benedickter, E. Feltin, J.-F. Carlin, M. Gonschorek,N.Grandjean and C.R.Bolognesi: IEEE Electron Device Lett. 31, 957 (2010).

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  高効率 ,  電子デバイス ,  開発動向