文献

J-GLOBAL ID：201202240012833154   整理番号：12A1440850

ホモエピタキシャル横方向成長によるダイヤモンド(111)メサ上での無ステップ表面の形成

Formation of Step-Free Surfaces on Diamond (111) Mesas by Homoepitaxial Lateral Growth

著者 (8件)： TOKUDA Norio (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  TOKUDA Norio (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TOKUDA Norio (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  MAKINO Toshiharu (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MAKINO Toshiharu (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  INOKUMA Takao (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  YAMASAKI Satoshi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YAMASAKI Satoshi (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 9,Issue 1  ページ： 090107.1-090107.5  発行年： 2012年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,ダイヤモンド(111)基板上での,マイクロ波プラズマCVDによる原子的にステップの無いダイヤモンド表面のアレイ形成に対する技法を提示した。マイクロ波プラズマCVDによって,プラズマ条件の適切な選択を用いることにより,各メサ表面に最初存在する原子的ステップが,横方向成長によって移動し,ダイヤモンド(111)メサ上に,原子的にステップの無い表面を形成することに成功した。ダイヤモンド(111)薄膜の横方向成長は,ダイヤモンド(111)メサ上で,最大100μm平方に達する素子サイズの無ステップ表面の形成をもたらした。これら無ステップメサのサイズと収量との増大における制限因子は,ダイヤモンド基板における螺旋転位の密度であることを記した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  *ホモエピタクシー ,  結晶方位 ,  メサ構造 ,  *表面ステップ ,  プラズマCVD ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  螺旋転位 ,  転位密度
準シソーラス用語： マイクロ波プラズマCVD ,  横方向被覆成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (30件)：

• 1) G. A. J. Amaratunga: Science 297 (2002) 1657.
• 2) J. Isberg, J. Hammersberg, E. Johansson, T. Wilkström, D. J. Twitchen, A. J. Whitehead, S. E. Coe, and G. A. Scarsbrook: Science 297 (2002) 1670.
• 3) D. Lee, J. M. Blakely, T. W. Schroeder, and J. R. Engstrom: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 1349.
• 4) T. Nishida and N. Kobayashi: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 2549.
• 5) T. Nishida and N. Kobayashi: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L13.

タイトルに関連する用語 (4件)： ホモ ,  エピタキシャル ,  横方向成長 ,  ダイヤモンド