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J-GLOBAL ID：201202240205925609   整理番号：12A1287118

2Dおよび3Dトポロジカル絶縁体のインターフェイシング Bi₂Te₃上のBi(111)二層

Interfacing 2D and 3D Topological Insulators: Bi(111) Bilayer on Bi₂Te₃

著者 (8件)： HIRAHARA T. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  BIHLAMYER G. (Forschungszentrum Juelich and JARA, Juelich, DEU) ,  SAKAMOTO Y. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAMADA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MIYAZAKI H. (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN) ,  KIMURA S. (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN) ,  BLUEGEL S. (Forschungszentrum Juelich and JARA, Juelich, DEU) ,  HASEGAWA S. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： UVSOR Activity Report  (UVSOR Activity Report)
巻： 2011  ページ： 61  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： L2127A  ISSN： 0911-5730  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *絶縁材料 ,  *インタフェイス ,  結晶面 ,  *テルル化物 ,  *ビスマス化合物 ,  *ビスマス ,  二次元 ,  三次元 ,  量子Hall効果 ,  分散【dispersion】 ,  多層 ,  *絶縁体 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： *テルル化ビスマス ,  量子スピンHall効果 ,  バンド分散 ,  二層

分類 (1件)： 絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (6件)： 2D ,  3D ,  トポロジカル絶縁体 ,  インターフェイシング ,  Bi ,  二層