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J-GLOBAL ID：201202240532583371   整理番号：12A0727838

ペルオキソ二硫酸アンモニウム溶液を用いた銅のエッチングレートに結晶構造が及ぼす影響

Influence of Crystallographic Structure on Etching Rate of Copper by Using Ammonium Peroxodisulfate Solution

著者 (5件)： 久保田賢治 (宇都宮大 大学院工学研究科) ,  久保田賢治 (三菱マテリアル 中研) ,  新山貴士 (宇都宮大 大学院工学研究科) ,  松本克才 (八戸工高専) ,  吉原佐知雄 (宇都宮大 大学院工学研究科)
資料名： エレクトロニクス実装学会誌  (Journal of Japan Institute of Electronics Packaging)
巻： 15  号： 3  ページ： 197-204  発行年： 2012年05月01日 
JST資料番号： S0579C  ISSN： 1343-9677  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 1mol/dm³ペルオキソ二硫酸アンモニウムを用いた銅のエッチングレートに結晶構造が及ぼす影響を,Scanning Probe Microscope(SPM)とElectron Back Scatter Diffraction Patterns(EBSD),腐食電位測定により解析した。低指数面である(001)面や(101)面,(111)面のエッチングレートは低く,高指数面である(327)面や(425)面のエッチングレートは高いことが明らかになった。多結晶体の銅においても低指数面に優先配向している銅のエッチングレートは,高指数面に配向している銅のエッチングレートに比べて低く,約半分であった。また,エッチングレートが高い多結晶体の銅は貴な腐食電位を示した。多結晶体の銅のエッチングレートは,それぞれの結晶表面におけるペルオキソ二硫酸イオンの還元反応速度の平均値によって決定されていることが示唆された。(著者抄録)

シソーラス用語： *エッチング ,  銅 ,  アンモニウム化合物 ,  *ペルオキソ硫酸塩 ,  水溶液 ,  *優先配向 ,  電子回折 ,  後方散乱 ,  *加工速度 ,  *結晶構造 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  腐食電位 ,  電気測定 ,  多結晶 ,  反応速度 ,  *銅箔 ,  *エッチング液 ,  結晶方位 ,  結晶粒径 ,  *溶解速度 ,  構造解析
準シソーラス用語： ペルオキソ二硫酸アンモニウム ,  EBSD ,  エッチングレート ,  電位測定

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (14件)：

• 1) 珍田 聡:“ファインピッチ配線形成が追及される大型液晶ディスプレイ用COFテープ,”表面技術,Vol. 59, No. 2, pp. 111–116, 2008
• 2) 池田公彦:“ファイン化対応エッチングシステム,”電子材料10月号,pp. 119–123, 2006
• 3) 出口政史,栗山雅代,有村摩紀,岡田万佐夫:“エッチング液による銅のエッチング特性について,”第11回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集,pp. 107–110, 2001
• 4) 斎田宗男:“電解銅箔のエッチング特性について,”サーキットテクノロジ,Vol. 2, No. 9, pp. 119–124, 1994
• 5) 珍田 聡:“エッチング法による20 μmリードピッチCOFテープ,”第13回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集,pp. 308–311, 2003

タイトルに関連する用語 (5件)： ペルオキソ二硫酸アンモニウム ,  溶液 ,  銅 ,  エッチングレート ,  結晶構造