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J-GLOBAL ID：201202240631586870   整理番号：12A1598978

世界的な競争領域にある最先端デバイス技術 3.パワーエレクトロニクスの最前線 3-3 GaNパワーデバイスの進展と展望

著者 (1件)： 上田哲三 (パナソニック デバイス社)
資料名： 電子情報通信学会誌  (Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
巻： 95  号： 11  ページ： 1009-1013  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： F0019A  ISSN： 0913-5693  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パワーデバイスは民生及び産業機器の電力変換部分において幅広く用いられている。これまでは材料としてSi(シリコン)が用いられてきたが,その材料物性で決まる性能限界に近づいており,損失低減や高速化といった性能向上が限界に近づいている。GaN(窒化ガリウム)は高い電子移動度,絶縁破壊電界を有しており,高耐圧かつ大電流・低オン抵抗を実現できる将来のパワーデバイス材料として非常に有望である。本稿では,GaNパワーデバイスの最新技術と,これらをパワースイッチング回路に応用して低損失動作を実現した結果について報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： パワーエレクトロニクス ,  *技術展望 ,  競争力 ,  *窒化ガリウム ,  *半導体素子
準シソーラス用語： *パワーデバイス ,  国際競争力

分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

引用文献 (5件)：

• UEDA, T. GaN transistors for power switching and millimeter-wave applications. Int. J. High Speed Electron. Syst. 2009, 19, 1, 145-152
• UEMOTO, Y. Gate injection transistor (GIT)-A normally-off AlGaN/GaN power transistor using conductivity modulation. IEEE Trans. Electron Device. 2007, 54, 12, 3393-3399
• ISHIDA, H. GaN-based natural super junction diodes with multi-channel structures. International Electron Devices Meeting Technical Digests, 2008. 2008, 145-148
• SHIBATA, D. GaN-based multi-junction diode with low reverse leakage current using p-type barrier controlling layer. International Electron Devices Meeting Technical Digests, 2011. 2011, 26.2.1-26.2.4
• MORITA, T. 99.3% efficiency of three-phase inverter using GaN-based gate injection transistors. Proc. 26th IEEE Applied Power Electronics Conf. and Expo. (APEC2011), Fort Worth, USA, March. 2011, 481-483

タイトルに関連する用語 (7件)： 世界 ,  競争 ,  最先端 ,  パワーエレクトロニクス ,  GaNパワーデバイス ,  進展 ,  展望