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J-GLOBAL ID：201202240645733752   整理番号：12A1306328

フォトレジストプラズマ改質の実時間測定:プラズマ真空紫外放射とイオンの役割

Real-time measurements of plasma photoresist modifications: The role of plasma vacuum ultraviolet radiation and ions

著者 (8件)： WEILNBOECK F. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, and Inst. for Res. in Electronics and Applied Physics, Univ. of Maryland ...) ,  KUMAR N. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, and Inst. for Res. in Electronics and Applied Physics, Univ. of Maryland ...) ,  OEHRLEIN G. S. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, and Inst. for Res. in Electronics and Applied Physics, Univ. of Maryland ...) ,  CHUNG T.-y. (Dep. of Chemical and Biomolecular Engineering, Univ. of California, Berkeley, California 94720) ,  GRAVES D. (Dep. of Chemical and Biomolecular Engineering, Univ. of California, Berkeley, California 94720) ,  LI M. (Dow Electronic Materials, 455 Forest Street, Marlborough, Massachusetts 01752) ,  HUDSON E. A. (Lam Res. Corp., 4650 Cushing Parkway, Fremont, California 94538) ,  BENCK E. C. (National Inst. of Standards and Technol., Gaithersburg, Maryland 20899)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 3  ページ： 031807-031807-12  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトレジスト(PR)の粗さのプラズマ誘起発展はイオンによって誘起された表面改質,紫外(UV)/真空紫外(VUV)照射によるバルク材料改質,及び温度上昇のシナジー相互作用による。これまでの研究は高エネルギーイオンとUV/VUV照射の個別的寄与を同定したが,協同改質のダイナミクスは未解明のままであった。著者らはArプラズマ中での193nm PRと248nm PRとプラズマ照射及びイオンとの相互作用をその場偏光解析によって研究した。偏光解析はプラズマ処理中での膜厚と材料の光学的性質の変化に関する価値ある情報を実時間で提供する。MgF₂,サファイア,及びガラスの光ファイバを用いてUV/VUVスペクトル領域における選択された波長範囲の放射成分に対するプラズマ-材料相互作用を低減した。Arプラズマ照射と異なる光ファイバを通ってのその伝搬をVUV分光で特性評価した。この特性評価は直接プラズマ中での全体的材料改質に対する特定の波長範囲の相対的寄与の同定を可能にした。193nm PRのプラズマUV/VUV照射への露光は膜厚低下と屈折率(N)増加を導き,それはより短波長に対して増大した。低最大イオンエネルギー(E_ion≦25eV)での直接プラズマ曝露に対しては,放射線効果が支配的で,バルク材料改質は約30秒後に飽和した。これと比較して248nm PRに対しては膜厚低下とN増加は中程度で,142nm以下の波長のUV/VUV露光に対してのみ見られた。両方の材料表面は用いた照射波長に関係なくプラズマ放射(0.3~0.6nm)への60秒の曝露中に比較的滑らかに保たれた。高エネルギーイオン衝撃(E_ion≦125eV)を含む直接Arプラズマ曝露に対しては,3~5秒以内にグラファイト表面層が出来上がった。この時間中に193nm PRバルク材料におけるUV/VUV修飾は約30%に達した。これはイオンクラスト直下の60nm厚ソフトレーヤに対応する。248nm PRに対しては,60秒間に確立されたバルク材料修飾の20%以下がイオンクラスト形成の過程で達成された。これはイオン改質表面直下での約4nmのハードレーヤに対応している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  表面粗さ ,  *表面改質 ,  *プラズマ曝露 ,  *紫外線照射 ,  真空紫外線 ,  相乗作用 ,  その場観察 ,  偏光解析法 ,  膜厚 ,  光学定数 ,  屈折率 ,  放射線効果 ,  黒鉛化
準シソーラス用語： グラファイト化

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (7件)： フォトレジスト ,  プラズマ ,  改質 ,  実時間測定 ,  放射 ,  イオン ,  役割