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J-GLOBAL ID：201202241056617200   整理番号：12A1115744

強磁性体Fe/LaSrFeO₄ナノ-ヘテロドットアレイの三次元ナノシーディング集合体

Three dimensional nano-seeding assembly of ferromagnetic Fe/LaSrFeO₄ nano-hetero dot array

著者 (6件)： OKADA K. (The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Ibaraki 567-0047, JPN) ,  SAKAMOTO T. (The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Ibaraki 567-0047, JPN) ,  FUJIWARA K. (The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Ibaraki 567-0047, JPN) ,  HATTORI A. N. (The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Ibaraki 567-0047, JPN) ,  KANKI T. (The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Ibaraki 567-0047, JPN) ,  TANAKA H. (The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Ibaraki 567-0047, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 2  ページ： 024320-024320-7  発行年： 2012年07月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 良く整列された強磁性体Feナノドット/LaSrFeO₄ナノ複合体を,ナノインプリントリソグラフィー(NIL)で作製したFeナノシードアレイを持つLa-SrTieO₃基板上への自己集合化結晶成長で作製した。200nmの間隔を持つFeナノシードは,完全に配列したFe/LaSrFeO₄ナノ複合体;ナノシード上とナノシードを除いた領域のみにそれぞれ成長した相分離のFeナノドットとLaSrFeO₄マトリックスの形成を可能にする。完全に配列したナノ複合体形成に必要なナノシード間隔は400nm以下である事を,表面拡散モデルに基づく計算で指摘した。Feナノシード上に成長したFeナノドットに対応する孤立した強磁性体ドメインの配列を磁気力顕微鏡観察で明らかにした。自己集合化成長とNILの組合せは高密度強磁性体メモリー素子の合理的形成の道筋を与える。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強磁性体 ,  *ナノ構造 ,  アレイ ,  素子構造 ,  *ナノ複合材料 ,  *核形成 ,  リソグラフィー ,  *鉄 ,  *鉄酸塩 ,  *ランタン化合物 ,  *ストロンチウム化合物 ,  基板 ,  チタン酸塩 ,  *自己集合 ,  結晶成長 ,  磁気力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  磁区 ,  表面拡散 ,  記憶素子 ,  相分離
準シソーラス用語： *シーディング ,  ナノインプリントリソグラフィー ,  ナノドット ,  *ナノドットアレイ ,  *ナノ複合体 ,  磁気ドメイン ,  ヘテロ構造

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強磁性体 ,  Fe ,  シーディング ,  集合体