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J-GLOBAL ID:201202241692244219   整理番号:12A0591379

原子ステップ基板上への酸化物エピタキシャル薄膜のPLD室温成長とナノ構造構築

Room-Temperature PLD Epitaxial Growth and Nanostructural Construction of Oxide Thin Films on Atomically Stepped Substrates
著者 (7件):
資料名:
巻: OQD-12  号: 1-11  ページ: 31-35  発行年: 2012年03月09日 
JST資料番号: Z0922A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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PLD法を用いてステップサファイア基板上へ薄膜堆積とRTAによるNiOとLi:NiOエピタキシャル薄膜上にナノ溝形成した。RTAによる溝形成を1分で形成できた。RTAでは,急速な昇温・冷却が可能なため薄膜のナノ溝形成が短時間ででき,溝間の薄膜構成原子の拡散やナノ溝結合を抑制できた。その結果,従来の電気炉アニールの2倍以上の深さで溝形成ができた。また,ナノ溝を構成する結晶粒を観察することでステップサファイア基板の対象性が隣接テラス同士で異なることを見出した。ナノ溝のLi添加で,約60nmの深さが得られ構造色も発現した。TRAにより1分のアニールでもNiOエピタクシャル薄膜の結晶性が向上した。Li:NiO薄膜では,LiNiO2と考えられる相からの回折ピークが得られた。
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (8件):

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