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J-GLOBAL ID：201202243624367097   整理番号：12A1102833

金属ナノ粒子援助プラズマエッチングにより生成した半導体円錐形ナノ細孔を経由する電圧ゲートイオン輸送

Voltage-Gated Ion Transport through Semiconducting Conical Nanopores Formed by Metal Nanoparticle-Assisted Plasma Etching

著者 (6件)： JAMES Teena (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA) ,  KALININ Yevgeniy V. (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA) ,  CHAN Chih-Chieh (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA) ,  RANDHAWA Jatinder S. (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA) ,  GAEVSKI Mikhail (Princeton Univ., New Jersey, USA) ,  GRACIAS David H. (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 7  ページ： 3437-3442  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SOI基板上に金ナノ粒子を分散してテトラフルオロメタン/酸素プラズマによりエッチング後,フッ化水素により酸化ケイ素層を除去してケイ素薄膜を単離した。走査電子顕微鏡観察から,金ナノ粒子周辺でエッチングが促進され,円錐形の細孔が形成されることを確かめた。円錐角およびサイズ分布を調べた。単独ナノ細孔による塩化カリウム水溶液のイオン輸送を測定した。電位ゲートにより整流比は>100倍に増強された。±2Vの電位周期変化によりイオンスイッチとして働き,オンオフ比は260に達した。蛍光標識ウシ血清アルブミンの輸送速度の電位制御例を示した。

シソーラス用語： 半導体 ,  *プラズマエッチング ,  ナノ粒子 ,  *金化合物 ,  *遷移金属触媒 ,  *円錐 ,  細孔 ,  *細孔構造 ,  *電圧制御 ,  *イオン輸送 ,  *SOI構造 ,  酸素 ,  フッ化水素 ,  半導体薄膜 ,  走査電子顕微鏡 ,  角度 ,  分布 ,  塩化カリウム ,  *電解質溶液 ,  *整流 ,  スイッチング ,  比率 ,  蛍光標識 ,  血清アルブミン ,  流速 ,  流体 ,  イオンチャンネル ,  フロン ,  *生体内イオン輸送
準シソーラス用語： ウシ血清アルブミン ,  オンオフ比 ,  ケイ素薄膜 ,  サイズ分布 ,  ナノ細孔 ,  ナノ流体 ,  円錐角 ,  *円錐形 ,  *金触媒 ,  電解質水溶液

分類 (4件)： クロマトグラフィー,電気泳動  (CC01050S) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  電極過程  (CB07040U) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

物質索引 (1件)： テトラフルオロメタン

タイトルに関連する用語 (7件)： 金属ナノ粒子 ,  援助 ,  プラズマエッチング ,  円錐形 ,  ナノ細孔 ,  ゲート ,  イオン輸送