文献

J-GLOBAL ID：201202244267946853   整理番号：12A0363832

シリコン表面のCF₃⁺エッチング:分子動力学的研究

CF₃ ⁺ etching silicon surface: A molecular dynamics study

著者 (11件)： ZHAO C. (Inst. of Plasma Surface Interactions, Guizhou Univ., Guiyang 550025, CHN) ,  ZHAO C. (Coll. of Sci., Guizhou Univ., Guiyang 550025, CHN) ,  LU X. (Inst. of Plasma Surface Interactions, Guizhou Univ., Guiyang 550025, CHN) ,  HE P. (Inst. of Plasma Surface Interactions, Guizhou Univ., Guiyang 550025, CHN) ,  ZHANG P. (Inst. of Plasma Surface Interactions, Guizhou Univ., Guiyang 550025, CHN) ,  SUN W. (Key Lab of Radiation Physics & Technol. Ministry of Education, Chengdu 610064, CHN) ,  ZHANG J. (Key Lab of Radiation Physics & Technol. Ministry of Education, Chengdu 610064, CHN) ,  CHEN F. (Inst. of Plasma Surface Interactions, Guizhou Univ., Guiyang 550025, CHN) ,  CHEN F. (Coll. of Sci., Guizhou Univ., Guiyang 550025, CHN) ,  GOU F. (FOM Inst. for Plasma Physics, 3439 MN Nieuwegein, NLD) ,  GOU F. (Key Lab of Radiation Physics & Technol. Ministry of Education, Chengdu 610064, CHN)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 86  号： 7  ページ： 913-916  発行年： 2012年02月08日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,分子動力学シミュレーションを使って100,200,300及び400eVのエネルギーを持ち法線に対し45°の入射角でSi表面に衝突するCF₃⁺イオンを調べた。シミュレーション結果は,CF₃⁺がSi表面に近接すると,小破片に分解することを示した。小破片のうちいくらかは表面に堆積して,「フルオロカルボシリル」層を形成した。Siの浸食は主にSF₃の形成により支配され,次にSF₂種が続き,SFは最少種にとどまった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *プラズマエッチング ,  *脂肪族フッ素化合物 ,  *計算機シミュレーション ,  入射角 ,  100-1000eV ,  高分子膜
準シソーラス用語： *分子動力学シミュレーション

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  エッチング ,  分子動力学 ,  研究