文献

J-GLOBAL ID：201202245564460427   整理番号：12A0555084

rfプラズマMBEによって成長させた450~460nmで動作するInGaNレーザダイオード

InGaN laser diodes operating at 450-460 nm grown by rf-plasma MBE

著者 (12件)： SKIERBISZEWSKI C. (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland, and TopGaN Sp. z ...) ,  SIEKACZ M. (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland, and TopGaN Sp. z ...) ,  TURSKI H. (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL) ,  MUZIOL G. (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL) ,  SAWICKA M. (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland, and TopGaN Sp. z ...) ,  FEDUNIEWICZ-ZMUDA A. (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL) ,  SMALC-KOZIOROWSKA J. (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland, and TopGaN Sp. z ...) ,  PERLIN P. (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland, and TopGaN Sp. z ...) ,  GRZANKA S. (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL) ,  WASILEWSKI Z. R. (Inst. for Microstructural Sciences, National Res. Council, Ottawa K1A 0R6, CAN) ,  KUCHARSKI R. (Ammono Sp. z o.o., Czerwonego Krzyzza 2/31, 00-377 Warsaw, POL) ,  POROWSKI S. (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 2  ページ： 02B102-02B102-5  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究ではプラズマアシスト分子線エピタ区シーにより成長された,450-460nm領域で動作する最初の本当の青色レーザダイオード(LD)を実現した。単一量子井戸LDは貫通転位密度が10⁴cm^-2から10⁸cm^-2間で変化するいくつかのタイプのc面バルクGaN基板上に成長させた。真の青色波長でのレーザ発振の達成を可能にしたキー因子は高窒素フラックスの使用に帰せられるInGaN量子井戸の成長技術の改良と共振器中の光損失を低減したLD構造の改良にある。LDのパラメータへのダイオード設計の影響を考察した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MBE成長 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  *半導体レーザ ,  可視レーザ ,  窒化ガリウム ,  レーザ発振 ,  量子井戸
準シソーラス用語： プラズマMBE ,  *InGaN ,  青色レーザ

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： RFプラズマ ,  MBE ,  成長 ,  InGaN ,  レーザダイオード