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J-GLOBAL ID：201202245924893486   整理番号：12A0703543

熱フィラメントCVD法で堆積したダイヤモンド薄膜の構造と二次電子放出係数

Structure and Secondary Electron Emission Coefficient of Diamond Films Deposited by Hot-filament CVD

著者 (6件)： 村上雅彦 (神奈川工科大) ,  山口聡 (丸互) ,  高畠信也 (神奈川工科大) ,  三栖貴行 (神奈川工科大) ,  後藤みき (神奈川工科大) ,  荒井俊彦 (神奈川工科大)
資料名： 照明学会誌  (Journal of the Illuminating Engineering Institute of Japan)
巻： 96  号： 5  ページ： 293-297  発行年： 2012年05月01日 
JST資料番号： G0205A  ISSN： 0019-2341  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 熱フィラメントCVD法で堆積したダイヤモンド薄膜の構造評価に光音響法の適用を試みた。ダイヤモンド表面状態に光学特性の違いがあれば,ダイヤモンドの結晶分布が得られる可能性がある。その実験として,ダイヤモンド薄膜の製法,ダイヤモンド薄膜の結晶性を調べる光音響法及び放電開始電圧の測定実験について述べた。実験結果を,1)CH₄濃度を変化させたCVDダイヤモンド薄膜の表面形状とラマンスペクトル,2)CVDダイヤモンド薄膜の光音響画像,3)CVDダイヤモンド薄膜での放電開始電圧とpdとの関係を図示して考察した。得られた結果は,光音響画像により,熱フィラメントCVD法で堆積したダイヤモンド薄膜電極の結晶化度分布と,ダイヤモンド領域とアモルファスカーボン領域の晶化度分布を判断できる可能性を示した。また,ダイヤモンド領域とアモルファスカーボン領域の混在した薄膜試料の二次電子放出係数は,アモルファスカーボン薄膜試料より大きかった。

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  薄膜 ,  結晶構造 ,  *二次電子放出 ,  係数 ,  放電開始電圧 ,  光学的性質 ,  表面準位 ,  診断
準シソーラス用語： *ダイヤモンド薄膜 ,  *光音響法 ,  *熱フィラメントCVD

分類 (1件)： 薄膜一般  (BK14010X)

引用文献 (8件)：

• CHOI, E.-H. Secondary electron emission coefficient of a MgO single crystal. J. Appl. Phys. 1999, 86, 6525-6527
• HAGSTRUM, H. D. Theory of Auger neutralization of ions at the surface of a diamond-type semiconductor. Phys. Rev. 1961, 122, 83-113
• BACHMANN, P. K. CVD diamond : a novel high γ-coating for plasma display panels?. Diamond Relat. Mater. 2001, 10, 809-817
• 酒井忠司. ダイヤモンド薄膜の放電灯陰極応用. 東芝レビュー. 2005, 60, 34-37
• 村上雅彦. プレーナ型 Metal-Semiconductor-Metal 構造における空乏層の光音響信号測定. 電学論A. 2011, 131, 447-451

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱フィラメントCVD ,  堆積 ,  ダイヤモンド薄膜 ,  二次電子