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J-GLOBAL ID:201202246115822957   整理番号:12A1612626

分子前駆体法を用いたp-型Cu2O透明薄膜の化学的製造

Chemical fabrication of p-type Cu2O transparent thin film using molecular precursor method
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巻: 137  号:ページ: 252-257  発行年: 2012年11月15日 
JST資料番号: E0934A  ISSN: 0254-0584  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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無Naガラス基板上にスピンコートした分子前駆体膜の熱反応を含む溶液ベース処理によって,50nm厚の透明p-型Cu2O薄膜を成功裏に製造した。エチレンジアミン-N,N,N′,N′-テトラ酢酸の分離Cu2+錯体とエタノール中のジブチルアミンとの反応により,この前駆体溶液を調製した。この前駆体を450°Cで10分間,1.0 L min-1の流速でのArガス中で熱処理した結果のCu2O薄膜を,X線回折でキャラクタライズし,8(2) nmの微結晶格子で,a=0.4265(2) nmの精密な立方格子セルパラメータをもつことを示した。Cu2O膜のO 1sおよびCu 2p3/2準位に帰属できるX線光電子分光ピークが,それぞれ,532.6 eVおよび932.4 eVに見出された。約200nmの析出Cu2O粒子の平均粒径が,電界放射型走査電子顕微鏡法で観測された。このCu2O透明薄膜の吸収スペクトルから,直接遷移半導体を仮定して計算した光学バンド末端は2.3 eVである。薄膜のHall効果測定は,単一相Cu2O薄膜は典型的なp-型半導体であり,周囲温度で,1.7 × 1016 cm-3の空孔濃度および4.8 cm2 V-1 s-1の空孔移動度がある。Arrheniusプロットから計算される原子価バンドからアクセプタ準位への活性化エネルギーは0.34 eVである。無Naガラス基板上のこの薄膜の接着強度も,引っかき試験で2.0 Nの臨界加重(Lc1)として定量された。ここに述べた方法は,湿式法によるp-型Cu2O透明薄膜の製造とキャラクタリゼーションに関する最初の例である。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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