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J-GLOBAL ID：201202246156131195   整理番号：12A0582007

ドリフト/拡散輸送理論に礎づいた,全周囲が強誘電体ゲートのSiナノワイアトランジスタのドレイン電流特性

Drain Current Characteristics of Ferroelectric Gate-All-Around Si Nanowire Transistors Based on Drift/Diffusion Transport Theory

著者 (4件)： IBATA Masakazu (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IBATA Masakazu (Fukui Industrial Support Center, Fukui, JPN) ,  OHMI Shun-ichiro (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  ISHIWARA Hiroshi (Konkuk Univ., Seoul, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 3,Issue 1  ページ： 034301.1-034301.5  発行年： 2012年03月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全周囲が強誘電体ゲートのSiのナノワイアトランジスタのドレイン電流対ゲート電圧(ID-VG)とドレイン電流対ドレイン電圧(ID-VD)特性をドリフト/拡散輸送理論を用いて導いた。印加されたドレイン電圧の影響でチャネルのドレイン領域近傍で生じる強誘電体膜の非飽和分極がソース領域近傍の分極同様,ドレイン電流を計算する上で重要な役割を果たすことを示した。また,ナノワイア中の可動電荷密度を計算するために,小さな分極のヒステリシスループに対する解析式を用いた図式解法を提供する。数値計算により,記憶動作に適切なゲート電圧を強誘電体ポリ(フッ化ビニリデン-トリフルオエチレン)[P(VDF-TrFE)]ゲート膜を有するSiナノワイアトランジスタにおいて決定した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *FET【トランジスタ】 ,  *電流電圧特性 ,  フッ素化重合体 ,  共重合体 ,  強誘電体 ,  高分子薄膜 ,  誘電体薄膜 ,  ゲート【半導体】 ,  絶縁膜 ,  酸化膜 ,  電荷分布 ,  密度 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ケイ素ナノワイヤ ,  ナノワイヤFET ,  ポリ(フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン) ,  強誘電性薄膜 ,  電荷密度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (30件)：

• 1) Y. Arimoto and H. Ishiwara: MRS Bull. 29 (2004) 823.
• 2) H. Ishiwara: Curr. Appl. Phys. 9 (2009) S2.
• 3) S. Sakai and R. Ilangovan: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 369.
• 4) K. Aizawa, B.-E. Park, Y. Kawashima, K. Takahashi, and H. Ishiwara: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 3199.
• 5) K. Takahashi, K. Aizawa, B.E. Park, and H. Ishiwara: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 6218.

タイトルに関連する用語 (10件)： ドリフト ,  拡散 ,  輸送理論 ,  礎 ,  全周囲 ,  強誘電体 ,  ゲート ,  Si ,  ナノワイアトランジスタ ,  ドレイン電流