SiN<sub>x</sub>ゲート絶縁体を持っているエッチングされたGaAsナノワイヤー電界効果トランジスタの低周波ノイズの特性評価

MURAMATSU Toru; MIURA Kensuke; SHIRATORI Yuta; YATABE Zenji; KASAI Seiya

文献

J-GLOBAL ID：201202246586838411 整理番号：12A0960579

SiN_xゲート絶縁体を持っているエッチングされたGaAsナノワイヤー電界効果トランジスタの低周波ノイズの特性評価

Characterization of Low-Frequency Noise in Etched GaAs Nanowire Field-Effect Transistors Having SiN_x Gate Insulator

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資料名：
巻： 51 号： 6,Issue 2 ページ： 06FE18.1-06FE18.5 発行年： 2012年06月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

SiN_x絶縁体ゲートのGaAsベースのエッチングされたナノワイヤー電界効果トランジスタ(FETs)の低周波ノイズについて調査し,デバイスサイズの依存性と絶縁体の電子トラップの効果に着目する。従来のFET雑音モデルによって示されるように,ドレイン電流ノイズの強度が,ナノワイヤー幅とゲート長が減少するとき,系統的に増加するのが見出される。また,デバイスサイズの減少に応じて,ノイズスペクトルは1/fから1/f²に連続的に変化し,そのような変化はショットキー-ゲートナノワイヤーFETで観測されません。理論解析は,短い時定数を持っているトラップがスペクトル傾度で主に影響し,一方,長い時定数を持っているものはスペクトルを移行させるだけであり,傾度に影響しないことを示す。スペクトル傾度の観測されたサイズ依存性は,異なった時定数を持つ離散的トラップの結合における変化よりも時定数の分布の広がりによって説明される。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (33件)：

1) International Technology Roadmap for Semiconductors 2009 edition [http://www. itrs. net/reports. html].
2) X. Jiang, Q. Xions, S. Nam, F. Qian, Y. Li, and C. M. Lieber: Nano Lett. 7 (2007) 3214.
3) T. Ohmi, M. Hirayama, and A. Teramoto: J. Phys. D 39 (2006) Rl.
4) F. N. Hooge: IEEE Trans. Electron Devices 41 (1994) 1926.
5) H. Ueno, T. Kitamura, S. Matsumoto, T. Okagaki, M. Miura-Mattausch, H. Abe, and T. Hamasaki: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 380.

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SiNxゲート絶縁体を持っているエッチングされたGaAsナノワイヤー電界効果トランジスタの低周波ノイズの特性評価

SiN_xゲート絶縁体を持っているエッチングされたGaAsナノワイヤー電界効果トランジスタの低周波ノイズの特性評価