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J-GLOBAL ID：201202247760122362   整理番号：12A0379192

スピン被覆液体シリコンを用いた単一結晶粒Si TFT

Single-Grain Si TFTs using Spin-Coated Liquid-Silicon

著者 (7件)： ZHANG Jin (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  ISHIHARA Ryoichi (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  TAGAGISHI Hideyuki (JST-ERATO, Ishikawa, JPN) ,  KAWAJIRI Ryo (JST-ERATO, Ishikawa, JPN) ,  SHIMODA Tatsuya (JST-ERATO, Ishikawa, JPN) ,  SHIMODA Tatsuya (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol. (JAST), Ishikawa, JPN) ,  BEENAKKER C. I. M. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2011  ページ： 339-342  発行年： 2011年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピンコーティング液体Siを用いてa-Siのレーザ結晶化により形成した,位置制御Si結晶粒において単一結晶粒Si TFTを作製した。あらかじめ決定した位置に3.5μmの直径をもつ結晶粒を形成することに成功した。単一結晶粒Si TFTのキャリア移動度は,電子及び正孔に関して,それぞれ,391cm²/Vs及び111cm²/Vsであった。これらの移動度は,ポリSi TFTのそれらよりはるかに高かった。この技術により,フレキシブルエレクトロニクスにおける高速回路を実現し,ULSIにおける作製プロセスを変えることになるであろう。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *薄膜トランジスタ ,  *スピンコーティング ,  *アモルファスシリコン ,  有機材料 ,  レーザ材料 ,  *結晶粒 ,  半導体薄膜 ,  飛行時間法 ,  二次イオン質量分析 ,  光学顕微鏡法 ,  位置制御 ,  キャリア移動度 ,  超LSI ,  液体ケイ素 ,  レーザ結晶
準シソーラス用語： ULSI

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： スピン被覆 ,  シリコン ,  結晶粒 ,  Si ,  TFT