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J-GLOBAL ID：201202247884153991   整理番号：12A0237308

単結晶Siマイクロ試験片における破壊の結晶異方性のワイブル統計解析

著者 (6件)： 脇田拓 (京大) ,  平井義和 (京大) ,  菅野公二 (京大) ,  田畑修 (京大) ,  池原毅 (産業技術総合研) ,  土屋智由 (京大)
資料名： 日本機械学会マイクロ・ナノ工学シンポジウム講演論文集
巻： 2nd  ページ： 149-150  発行年： 2010年10月12日 
JST資料番号： L8358A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 単結晶Siの破壊メカニズムを把握するため,(110)SOIウエハで作製した引張軸〈110〉,〈111〉の試験片を用い引張試験を実施した。試験部寸法は各試験片共通で幅10μm,厚さ5μm,長さ120μmであり,深さ1μmの切り欠きを持つ。本研究では観察された破断面である(111)面に対する垂直応力により評価を行っている。複数の(111)面に対する垂直応力の分布を考慮したところ,引張軸〈110〉,〈111〉の試験片の破断荷重の違いが(111)面に対する垂直応力で説明できることが分かった。(著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  疲れ寿命 ,  疲れ強さ ,  *半導体薄膜 ,  繰返し応力 ,  *繰返し試験 ,  *疲れ破壊 ,  結晶方位
準シソーラス用語： *単結晶シリコン

分類 (3件)： その他の材料  (HC05050Z) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  その他の材料の試験  (HB05000T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単結晶Si ,  試験片 ,  破壊 ,  結晶 ,  異方性 ,  統計解析