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J-GLOBAL ID:201202248118967096   整理番号:12A0188630

流通反応器系での冶金級のケイ素の選択的水素臭化

Selective hydrobromination of metallurgical-grade silicon in a flow reactor system
著者 (7件):
資料名:
巻: 47  号:ページ: 3227-3232  発行年: 2012年04月 
JST資料番号: B0722A  ISSN: 0022-2461  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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流通反応器系のオンラインガスクロマトグラフィーで,臭化水素(HBr)ガスとの冶金級のケイ素(MG-Si)の反応をモニターした。三臭化シランの生成が380°Cで起こり始め,それに伴いHBrが消費された。反応温度の増加に従って,臭化シランへのHBrの変換は増加し,440°Cで最大に達した。HBr-N2混合ガス中のHBr濃度の増加によって,MG-Siの消費量が増加したが,三臭化シランの生成の選択性は減少した。反応ガスの総流速の増加によって,HBr変換の劇的な減少が引き起こされ,三臭化シラン生成の選択性が増加した。400°Cでの,総合的な臭素化反応の速度定数は,0.46s-1と測定された。製品中の不純物の濃度は,MG-Si中の濃度より,はるかに少なかった。また,切断損失のケイ素に至適条件の臭素化反応を施した。Copyright 2011 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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その他の無触媒反応  ,  塩 
タイトルに関連する用語 (4件):
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