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J-GLOBAL ID：201202248221281070   整理番号：12A1439313

オーバービュー:ダブルパターニングプロセスの絶えざる進展

Overview: Continuous evolution on double-patterning process

著者 (5件)： YAEGASHI Hidetami (TOKYO ELECTRON LTD, Tokyo, JPN) ,  OYAMA Kenichi (TOKYO ELECTRON LTD, Yamanashi, JPN) ,  HARA Arisa (TOKYO ELECTRON LTD, Yamanashi, JPN) ,  NATORI Sakurako (TOKYO ELECTRON LTD, Yamanashi, JPN) ,  YAMAUCHI Shohei (TOKYO ELECTRON LTD, Yamanashi, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8325  ページ： 83250B.1-83250B.8  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダブルパターニングプロセスはサブ40nmハーフピッチ技術ノードのための最も有望なリソグラフィ技術の一つである。特に,セルフアラインスペーサダブルパターニング(SADP)はNAND フラッシュメモリの量産に採用され,DRAMやロジックデバイスにも拡張されつつある。提案するフォトレジストコアSADPはセルフアラインピッチトリプリング(SATP)やピッチカドラプリング(SAQP)への広い拡張性を有し11nmハーフピッチを達成する。ALD SiO₂デポジションプロセスはマルチプルパターニングのための特有技術の一つであり,ホールパターニングのピッチダブリングにも有効である。ダブルパターニングプロセスは確実に進展し,その適用範囲は広がっている。本研究では新たに開発したマルチパターニング技術を示し,CD均一性,LWR,プロセスラチチュードを最適化した。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *フォトリソグラフィー ,  回路パターン形成 ,  *フォトレジスト ,  均一性 ,  長さ ,  表面粗さ ,  化学蒸着
準シソーラス用語： ALD【蒸着】 ,  CD均一性 ,  *ダブルパターニング技術 ,  原子層蒸着 ,  線幅粗さ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ダブルパターニング ,  プロセス ,  進展