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J-GLOBAL ID：201202249884707949   整理番号：12A0335546

常磁性半導体の結晶構造,スピン分極,固体電気化学および高n-型キャリア移動度 バナジルテトラキス(チアジアゾール)ポルフィラジン

Crystal Structure, Spin Polarization, Solid-State Electrochemistry, and High n-Type Carrier Mobility of a Paramagnetic Semiconductor: Vanadyl Tetrakis(thiadiazole)porphyrazine

著者 (13件)： MIYOSHI Yasuhito (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKAHASHI Kouji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  FUJIMOTO Takuya (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YOSHIKAWA Hirofumi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MATSUSHITA Michio M. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OUCHI Yukio (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KEPENEKIAN Mikael (Inst. Le Bel Univ. de Strasbourg, Strasbourg, FRA) ,  ROBERT Vincent (Inst. Le Bel Univ. de Strasbourg, Strasbourg, FRA) ,  DONZELLO Maria Pia (Universita degli Studi di Roma “La Sapienza”, Rome, ITA) ,  ERCOLANI Claudio (Universita degli Studi di Roma “La Sapienza”, Rome, ITA) ,  AWAGA Kunio (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  AWAGA Kunio (JST-CREST) ,  AWAGA Kunio (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Inorganic Chemistry  (Inorganic Chemistry)
巻： 51  号： 1  ページ： 456-462  発行年： 2012年01月02日 
JST資料番号： C0566A  ISSN： 0020-1669  CODEN： INOCAJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *キャリア移動度 ,  *スピン分極 ,  常磁性 ,  *結晶構造 ,  *バナジル錯体 ,  錯体生成 ,  X線回折 ,  分子軌道計算 ,  基底状態 ,  磁化率 ,  強磁性 ,  *相互作用 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  *薄膜トランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  イオン液体 ,  *N型半導体 ,  HOMO ,  LUMO ,  *電子構造
準シソーラス用語： *磁気相互作用

分類 (5件)： 遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X) ,  第4族,第5族元素の錯体  (CE01070U) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

物質索引 (1件)： テトラキス(チアジアゾール)ポルフィラジン

タイトルに関連する用語 (9件)： 磁性半導体 ,  結晶構造 ,  スピン分極 ,  固体 ,  電気化学 ,  型 ,  キャリア移動度 ,  チアジアゾール ,  ポルフィラジン