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J-GLOBAL ID：201202250615702840   整理番号：12A0991903

Si(100)の初期酸化の微視的メカニズム: 反応パスウェイ及び自由エネルギー障壁

Microscopic mechanisms of initial oxidation of Si(100): Reaction pathways and free-energy barriers

著者 (4件)： KOIZUMI Kenichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  BOERO Mauro (Univ. Strasbourg, Strasbourg, FRA) ,  SHIGETA Yasuteru (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OSHIYAMA Atsushi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 85  号： 20  ページ： 205314.1-205314.4  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *酸化 ,  自由エネルギー ,  *密度汎関数法 ,  ab initio法 ,  計算 ,  分子動力学 ,  量子論 ,  計算機シミュレーション ,  二量体 ,  スピン密度 ,  酸素
準シソーラス用語： Car-Parrinello法 ,  第一原理計算 ,  第一原理分子動力学法 ,  表面酸化

分類 (3件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  初期 ,  酸化 ,  メカニズム ,  パス ,  エネルギー障壁