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J-GLOBAL ID：201202250922871420   整理番号：12A1405319

GaAs系に基づくハイブリッド量子ドット/量子井戸活性領域の光学的性質

Optical properties of hybrid quantum dot/quantum well active region based on GaAs system

著者 (6件)： THOMA Jiri (Centre for Advanced Photonics & Process Analysis, Cork Inst. of Technol., Ireland) ,  OCHALSKI Tomasz J. (Centre for Advanced Photonics & Process Analysis, Cork Inst. of Technol., Ireland) ,  HUGUES Maxime (Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Sheffield, Mappin Street, Sheffield S1 4JD, GBR) ,  ZHANG Shiyong (Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Sheffield, Mappin Street, Sheffield S1 4JD, GBR) ,  HEGARTY Stephen P. (Tyndall National Inst., UCC, Lee Maltings, Cork, Ireland) ,  HUYET Guillaume (Centre for Advanced Photonics & Process Analysis, Cork Inst. of Technol., Ireland)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 6  ページ： 063103-063103-4  発行年： 2012年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs基板上のGaInNAs量子井戸と積層InAs/InGaAs量子ドット層から成る新しいハイブリッド材料/構造の光学的性質を実験的に調べた。逆バイアスを印加する時,量子井戸内の強い量子閉じ込めStark効果は効率的に井戸-ドット離調を制御出来ることを示した。低温と室温の時間分解ルミネセンススペクトルを組み合わせて30ps以下のデバイス吸収回復時間を推論した。これらの性質を高速度オプトエレクトロニックデバイスに,特に,ハイブリッド量子ドット-量子井戸材料系が外部バイアスに依存して容易に,そして迅速に各セクションの交換可能な機能,すなわち発光利得または可変減衰を提供する,電気-吸収変調レーザと再構成可能多重セクションデバイスに利用出来る。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子井戸 ,  光学的性質 ,  *ヒ化ガリウム ,  時間分解分光法 ,  *半導体薄膜 ,  発光スペクトル ,  *量子ドット ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  基板 ,  バイアス ,  Stark効果 ,  *光ルミネセンス ,  複合構造
準シソーラス用語： ハイブリッド構造 ,  ヒ化窒化ガリウムインジウム ,  逆バイアス ,  量子閉込めStark効果

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  量子ドット ,  量子井戸 ,  活性領域 ,  光学的性質