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J-GLOBAL ID：201202251036565934   整理番号：12A1371173

ドーピング密度の異なるInAs/GaAs量子ドットのSiデルタドーピング

Si delta doping inside InAs/GaAs quantum dots with different doping densities

著者 (5件)： WANG Ke-fan (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083 ...) ,  GU Yongxian (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083 ...) ,  YANG Xiaoguang (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083 ...) ,  YANG Tao (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083 ...) ,  WANG Zhanguo (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083 ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 4  ページ： 041808-041808-6  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs/GaAs自己集合量子ドット(QD)成長プロセスのとき,いろいろなドーピング密度のSiデルタドーピングをQD形成初期に行った。原子間力顕微鏡(AFM)観察の結果,このSiドーピングはQDのモルフォロジーに少し影響するだけであることが分かった。電流計測AFM測定の結果,QD表面の電流は低ドーピングレベルで増加するが,高ドーピングレベルでは予想に反して減少することが分かった。温度依存フォトルミネセンス(PL)測定の結果,最適Siドーピング密度(5×10¹¹cm^-2)は125~225Kの中間温度の範囲でPLの熱安定性を改善し,室温でPL強度を35倍まで増大させることが分かった。これらの結果,Siドーピング密度はInAsの電気及び光学特性でキーとなる役割を果たすことが明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *量子ドット ,  *自己集合 ,  *ケイ素 ,  *δドーピング ,  *光ルミネセンス ,  赤外発光スペクトル ,  放射強度 ,  熱安定性 ,  Stranski-Krastanov成長 ,  Fowler-Nordheimトンネリング

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドーピング ,  密度 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  Si ,  デルタドーピング