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J-GLOBAL ID：201202251243528810   整理番号：12A0111182

Cu/Sn/PdとNi/Sn/Pdサンドイッチはんだ接合構造の交差相互作用の調査

Cross-Interaction Study of Cu/Sn/Pd and Ni/Sn/Pd Sandwich Solder Joint Structures

著者 (5件)： LU C. T. (National Central Univ., Dep. of Chemical Engineering and Materials Engineering, 32001, Jhongli, Taiwan, TWN) ,  HUANG T.S. (National Central Univ., Dep. of Chemical Engineering and Materials Engineering, 32001, Jhongli, Taiwan, TWN) ,  CHENG C.H. (National Central Univ., Dep. of Chemical Engineering and Materials Engineering, 32001, Jhongli, Taiwan, TWN) ,  TSENG H.W. (National Central Univ., Dep. of Chemical Engineering and Materials Engineering, 32001, Jhongli, Taiwan, TWN) ,  LIU C.Y. (National Central Univ., Dep. of Chemical Engineering and Materials Engineering, 32001, Jhongli, Taiwan, TWN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 41  号： 1  ページ： 130-137  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Cu/Sn/PdとNi/Sn/Pdサンドイッチ構造間の交差相互作用を調べた。Cu/Sn/Pdの場合,界面(Pd,CU)Sn₄化合物層の成長特性と形態は,単一Pd/Sn界面反応に非常に似ていた。これは,Sn/Pd界面における(Pd,CU)Sn₄層の成長は,反対のCu/Sn界面反応により影響を受けないことを示している。筆者等は,Cu/Sn/Pdサンドイッチ構造中の二つの界面反応間には交差相互作用効果が無いと結論できる。Ni/Sn/Pdの場合は,筆者等は,1)リフロー時間300秒後に,Sn/Ni界面のNi₃Sn₄化合物層上で(Pd,Ni)Sn₄化合物が不均一に核形成し,2)界面PdSn₄化合物層の成長は,Sn/Ni界面の(Pd,Ni)Sn₄化合物の生成により非常に抑制されたことが分かった。筆者等は,このPdSn₄成長の抑制は,Ni₃Sn₄化合物層の不均一核形成によるもので,これは全体のサンドイッチ反応系の自由エネルギーを減少させると考える。Pd/Sn界面におけるPdSn₄中とSn/Ni界面における(Pd,Ni)Sn₄相のPdの化学ポテンシャルの差が溶融Sn中のPd原子フラックスの駆動力である。三元(Pd,Ni)Sn₄化合物相中へのNiの拡散が,溶融Sn中のPd原子フラックスとSn/Ni界面での三元(Pd,Ni)Sn₄化合物の成長を制御する。Copyright 2011 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 相互作用 ,  *フリップチップ法 ,  超小形回路技術 ,  はんだ付 ,  不均一系反応 ,  界面 ,  スズ化合物 ,  サンドイッチ構造 ,  リフロソルダリング ,  核形成 ,  自由エネルギー ,  化学ポテンシャル ,  金属間化合物
準シソーラス用語： *UBM ,  はんだ接合 ,  *界面反応

分類 (1件)： 接続部品  (NA05050Z)

タイトルに関連する用語 (9件)： Cu ,  Sn ,  Pd ,  Ni ,  サンドイッチ ,  はんだ接合 ,  交差 ,  相互作用 ,  調査