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J-GLOBAL ID：201202251483508808   整理番号：12A1152100

Ta₂O₅の原子層堆積のための高性能イミドアミドプリカーサ

High-performance imido-amido precursor for the atomic layer deposition of Ta₂O₅

著者 (7件)： BLANQUART Timothee (Univ. Helsinki, Helsinki, FIN) ,  LONGO Valentino (Technische Universiteit Eindhoven, Eindhoven, NLD) ,  NIINISTOE Jaakko (Univ. Helsinki, Helsinki, FIN) ,  HEIKKILAE Mikko (Univ. Helsinki, Helsinki, FIN) ,  KUKLI Kaupo (Univ. Helsinki, Helsinki, FIN) ,  RITALA Mikko (Univ. Helsinki, Helsinki, FIN) ,  LESKELAE Markku (Univ. Helsinki, Helsinki, FIN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 7  ページ： 074003,1-6  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素ソースとして水またはオゾンを用いた酸化タンタルTa₂O₅の原子層堆積のために,液体イミドアミノプリカーサ^tBuN=Ta(NEt₂)₃について調べた。酸素源は水でもオゾンでも,高品質のTa₂O₅薄膜を堆積することができた。堆積温度は125°Cから475°Cまで調べたが,X線光電子分光法で調べた結果,225°Cより高い温度で堆積した薄膜が高純度を示した。得られた薄膜は,堆積したままの状態ではすべてアモルファスで,約700°Cで結晶化し,斜方晶系となった。325°Cで堆積したTa₂O₅薄膜を用いて,Al/Ta₂O₅/TiN/Si/Alキャパシタを作製し,容量電圧および電流電圧特性を測定した。Ta₂O₅薄膜の誘電率は~25で,比較的低い漏れ電流を示した。

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *プリカーサ ,  薄膜 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  *酸化タンタル ,  コンデンサ ,  イミド錯体 ,  アミド錯体 ,  タンタル錯体 ,  X線光電子分光法 ,  純度 ,  非晶質 ,  晶出温度 ,  斜方晶系 ,  MOS構造 ,  誘電率
準シソーラス用語： キャパシタ ,  *原子層堆積 ,  高純度 ,  高誘電率

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ta2O5 ,  原子層堆積 ,  高性能