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J-GLOBAL ID：201202252242508811   整理番号：12A0495327

Co/Niナノ細線における磁壁脱ピン止め磁場におよぼす電流の効果

Effect of Current on Domain Wall Depinning Field in Co/Ni Nanowire

著者 (9件)： HIRAMATSU Ryo (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KONDOU Kouta (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  KOYAMA Tomohiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  YOSHIMURA Yoko (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  CHIBA Daichi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  CHIBA Daichi (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  FUKAMI Shunsuke (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  ISHIWATA Nobuyuki (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  ONO Teruo (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 2,Issue 1  ページ： 028005.1-028005.2  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 巨大磁気抵抗効果を利用して,垂直磁化Co/Niナノ細線における磁壁脱ピン止め磁場におよぼすdc電流の効果を調べた。電子流が磁壁脱ピン止め方向に平行(反平行)の場合,電流が磁壁脱ピン止めを支援(阻止)することが分かった。脱ピン止め磁場は,dc電流密度に対して線形依存性を示し,この特性から有効磁場の効率を-1.5×10^-14Tm²/Aと見積もった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  巨大磁気抵抗効果 ,  磁壁 ,  運動 ,  *磁束ピン止め ,  ピン止め ,  直流 ,  ニッケル
準シソーラス用語： 磁壁運動 ,  脱ピン止め

分類 (3件)： 金属の磁気異方性・磁気機械効果  (BM06102S) ,  金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D) ,  金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (23件)：

• 1) L. Berger: J. Appl. Phys. 55 (1984) 1954.
• 2) L. Berger: Phys. Rev. B 73 (2006) 014407.
• 3) G. Tatara and H. Kohno: Phys. Rev. Lett. 92 (2004) 086601.
• 4) Z. Li and S. Zhang: Phys. Rev. Lett. 92 (2004) 207203.
• 5) S. Zhang and Z. Li: Phys. Rev. Lett. 93 (2004) 107204.

タイトルに関連する用語 (6件)： CO ,  Ni ,  ナノ細線 ,  磁壁 ,  脱ピン止め ,  磁場