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J-GLOBAL ID：201202252291871930   整理番号：12A0960584

Pt電極間にはさみ込まれた超薄層Si酸化物誘電体の化学結合特性と抵抗変化挙動の評価

Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistance Switching Behaviors of Ultrathin Si Oxide Dielectric Sandwiched Between Pt Electrodes

著者 (6件)： OHTA Akio (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  GOTO Yuta (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  NISHIGAKI Shingo (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MURAKAMI Hideki (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  HIGASHI Seiichiro (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MIYAZAKI Seiichi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 6,Issue 2  ページ： 06FF02.1-06FF02.6  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者は,SiO_xベースの抵抗ランダムアクセスメモリー(ReRAMs)に関する実現の可能性を評価するために,Pt電極間にサンドイッチした超薄層のSiリッチ酸化物の化学結合特性と抵抗変化特性を調査した。300°CでAr+O₂混合ガス中の高周波(RF)スパッタリングによるPt上のSiO_x堆積の初期段階において,SiO_xとPt底面電極間の界面におけるPtO_x層の形成は観測した。この界面のPtO_x層の厚さはSiOx厚の増加に従って縮小した。堆積直後のSiO_x厚が3.3nmまで減少させると,初期の電気状態は高い抵抗状態(HRS)から低い抵抗状態(LRS)に変化して,抵抗変化挙動は形成過程なしで観測された。SiO_xネットワークにおける抵抗変化機構のより良い理解,特に酸欠の役割を理解するために,著者は,変化挙動のときにSiO_x堆積後のO₂アニーリングの影響を調査した。抵抗変化挙動は,500°C以上のO₂アニーリング温度での試料では,ほとんど検知できなかった。結果は,SiO_xの酸素欠損が抵抗変化で重要な役割を果たすのを意味している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *超薄膜 ,  *酸化ケイ素 ,  誘電体薄膜 ,  *白金電極 ,  化学結合 ,  スパッタ蒸着 ,  *熱処理
準シソーラス用語： *抵抗ランダムアクセスメモリ

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (31件)：

• 1) International Technology Roadmap for Semicondutor 2009: Edition Emerging Research Devices 4, Table ERD2.
• 2) S. Q. Liu, N. J. Wu, and A. Ignatieva: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 2749.
• 3) A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, and Y. Tokura: J. Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 4073.
• 4) Y. Watanabe, J. G. Bednorz, A. Bietsch, C. Gerber, D. Widmer, A. Beck, and S. J. Wind: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 3738.
• 5) D. J. Seong, M. Jo, D. Lee, and H. Hwang: Electrochem. Solid-State Lett. 10 (2007) H168.

タイトルに関連する用語 (8件)： Pt ,  薄層 ,  Si酸化物 ,  誘電体 ,  化学結合 ,  抵抗変化 ,  挙動 ,  評価