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J-GLOBAL ID：201202252372671803   整理番号：12A1763135

電子注入層を持つ高効率InGaN/GaN発光ダイオード

High-efficiency InGaN/GaN light-emitting diodes with electron injector

著者 (6件)： PARK Seoung-Hwan (Catholic Univ. Daegu, Kyeongbuk, KOR) ,  MOON Yong-Tae (LG Innotek, Gyeonggi, KOR) ,  HAN Dae-Seob (LG Innotek, Gyeonggi, KOR) ,  PARK Joong Seo (LG Innotek, Gyeonggi, KOR) ,  OH Myeong-Seok (LG Innotek, Gyeonggi, KOR) ,  AHN Doyeol (Univ. Seoul, Seoul, KOR)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 11  ページ： 115003,1-7  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子注入層を持つ非極性m面InGaN/GaN発光ダイオード(LED)の効率を,多バンド有効媒質理論を用いて調べた。電子遮断層を挿入することで,電子溢れが減少した。特に,電子注入層を含めることで,高バイアス電圧でも電子溢れが有意に低減した。電子注入層が一つの場合,電子溢れを実質的に低減するには13nmを超える層厚が必要であった。厚い単一電子注入層に比べ,超格子様電子注入層を持つ量子井戸構造は活性層中の弾道及び準弾道電子輸送の低減に効果があることを示した。

シソーラス用語： *キャリア注入 ,  窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  半導体薄膜 ,  *発光ダイオード ,  有効媒質近似 ,  *バリスティック輸送 ,  量子井戸 ,  超格子 ,  電流密度 ,  効率
準シソーラス用語： *電子注入 ,  内部効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子注入 ,  高効率 ,  InGaN ,  GaN ,  発光ダイオード