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J-GLOBAL ID:201202252595994345   整理番号:12A1603101

GaNに格子整合したScxAlyGa1-x-yN合金における自発分極とバンドギャップ湾曲の第一原理研究

First-principles study of spontaneous polarization and band gap bowing in ScxAlyGa1-x-yN alloys lattice-matched to GaN
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資料名:
巻: 27  号: 10  ページ: 105014,1-5  発行年: 2012年10月 
JST資料番号: E0503B  ISSN: 0268-1242  CODEN: SSTEET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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GaNに格子整合したScxAlyGa1-x-yN合金の格子定数はVegard則から明白にずれることが分かった。これは六方晶系とウルツ鉱型の異なる結晶構造をもたらすIIIB-V遷移金属窒化物とIIIA-V窒化物の結合特性の違いに起因する。ScxAlyGa1-x-yNの自発分極の大きさはYxAlyGa1-x-yNのそれよりも大きい。それらの非線形性と合金中のScの原子配置へのそれらの依存性を見つけた。Γにおけるバンドギャップエネルギーも自発分極と同じ特性を持つ。
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分類 (1件):
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半導体結晶の電子構造 

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