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J-GLOBAL ID：201202252608474346   整理番号：12A1438842

4H-SiC/SiO₂界面におけるP_bc欠陥とその他の界面欠陥の電子スピン共鳴分光評価

著者 (5件)： 佐藤嘉洋 (筑波大) ,  梅田享英 (筑波大) ,  岡本光央 (産業技術総合研) ,  原田信介 (産業技術総合研) ,  小杉亮治 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.12P-H7-16  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  六方晶系 ,  *MOSFET ,  酸化膜 ,  二酸化ケイ素 ,  湿式酸化 ,  界面 ,  *表面欠陥 ,  *ダングリングボンド ,  スペクトロスコピー ,  *ESR【磁気共鳴】 ,  表面準位 ,  状態密度 ,  後熱処理 ,  雰囲気
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  水素雰囲気 ,  *電子スピン共鳴分光法

分類 (3件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (9件)： 4H-SiC ,  SiO2 ,  界面 ,  PBC ,  欠陥 ,  界面欠陥 ,  電子スピン共鳴 ,  分光 ,  評価