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J-GLOBAL ID：201202253148852750   整理番号：12A0757263

InP光変調器

InP Optical Modulators

著者 (1件)： 八坂洋 (東北大 電通研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 1(MWP2012 1-7)  ページ： 19-24  発行年： 2012年03月30日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体光変調器は,小型で低駆動電圧での動作が可能という特徴から注目を集めている。特にInP材料を用いた半導体光変調器は,光通信用半導体レーザとの集積が可能という特徴を持つため,光変調器を集積した光源や光集積回路の研究・開発が精力的に進められている。半導体光変調器では,外部電気信号でその吸収係数や屈折率を制御することで光に強度や位相情報を重畳する。その際に物理現象として量子閉じ込めシュタルク効果やキャリアプラズマ効果,電気光学(E/O)効果が用いられている。本報告では,このInP光変調器の動作原理やデバイス構造を概説し,最近の研究開発の現状を紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *光変調素子 ,  駆動 ,  光通信 ,  半導体レーザ ,  光集積回路 ,  光源 ,  吸収係数 ,  屈折率 ,  Stark効果 ,  電気光学効果
準シソーラス用語： *InP ,  光吸収係数 ,  *光変調器 ,  低電圧駆動 ,  量子閉込めStark効果

分類 (3件)： 光変調器  (BD06020W) ,  光集積回路,集積光学  (BD06050D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (19件)：

• MILLER, D. A. B. Electric Field Dependence of Optical Absorption Near the Band Gap of Quantum-Well Structures. Phys. Rev. B. 1985, 32, 2, 1043-1060
• MILLER, D. A. B. Large Room-Temperature Optical Nonlinearity in GaAs/Ga_<1-x>Al_xAs Multiple Quantum Well Structures. Appl. Phys. Lett. 1982, 41, 8, 679-681
• CHEMLA, D. S. Room Temperature Excitonic Nonlinear Absorption and Refraction in GaAs/AlGaAs Multiple Quantum Well Structures. IEEE J. Quantum Electron. 1984, QE-20, 3, 265-275
• HIROSHIMA, T. Well size dependence of Stark shifts for heavy-hole and light-hole levels in GaAs/AlGaAs quantum wells. Appl. Phys. Lett. 1986, 49, 11, 639-641
• WOOD, T. H. High-speed optical modulation with GaAs/AlGaAs quantum wells in a p-i-n diode structure. Appl. Phys. Lett. 1984, 44, 1, 16-18

タイトルに関連する用語 (2件)： InP ,  光変調器