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J-GLOBAL ID：201202256851664884   整理番号：12A1405160

低温における溶液プロセスで合成した導電性の優れたp型非晶質酸化物

Highly conductive p-type amorphous oxides from low-temperature solution processing

著者 (5件)： LI Jinwang (Japan Sci. and Technol. Agency (JST), ERATO, Shimoda Nano-Liquid Process Project, 2-5-3 Asahidai, Nomi, Ishikawa ...) ,  TOKUMITSU Eisuke (Japan Sci. and Technol. Agency (JST), ERATO, Shimoda Nano-Liquid Process Project, 2-5-3 Asahidai, Nomi, Ishikawa ...) ,  KOYANO Mikio (Green Devices Res. Center, Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN) ,  MITANI Tadaoki (Japan Sci. and Technol. Agency (JST), ERATO, Shimoda Nano-Liquid Process Project, 2-5-3 Asahidai, Nomi, Ishikawa ...) ,  SHIMODA Tatsuya (Japan Sci. and Technol. Agency (JST), ERATO, Shimoda Nano-Liquid Process Project, 2-5-3 Asahidai, Nomi, Ishikawa ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 13  ページ： 132104-132104-4  発行年： 2012年09月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラスティック基板に適合し,240°Cの低温まで加工が可能な,溶液から合成した導電性(抵抗率が1.3~3.8mΩcm)のp型非晶質A-B-O(A=Bi,Pb;B=Ru,Ir)の特性について報告する。薄膜表面は原子スケールで滑らかである。Bi-Ru-Oを詳細に解析した。Fermi準位(束縛エネルギーはE_VBM=0.04eV)以下であるが,非常に近い位置に価電子帯の頂上(VBM)を持つ小さなバンドギャップ(0.2eV)によって,高い導電性が説明され,これらが縮退半導体であることを示唆している。温度を25K以下に下げると,伝導度は三次元的から二次元的に変わることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 溶液成長 ,  非晶質半導体 ,  *酸化物 ,  ビスマス化合物 ,  鉛化合物 ,  ルテニウム化合物 ,  イリジウム化合物 ,  プリント基板 ,  *化合物半導体 ,  Fermi準位 ,  バンドギャップ ,  *電気伝導率 ,  X線回折 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  *温度依存性 ,  輸送係数
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  プラスチック基板 ,  縮退半導体

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  溶液 ,  プロセス ,  導電性 ,  非晶質 ,  酸化物