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J-GLOBAL ID：201202256855709998   整理番号：12A1429682

EUVリソグラフィ内の最先端欠陥検査ツールの性能の調査

Investigation of the performance of state-of-the-art defect inspection tools within EUV lithography

著者 (8件)： VAN DEN HEUVEL Dieter (IMEC, Leuven, BEL) ,  JONCKHEERE Rik (IMEC, Leuven, BEL) ,  BAUDEMPREZ Bart (IMEC, Leuven, BEL) ,  CHENG Shaunee (IMEC, Leuven, BEL) ,  MARCUCCILLI Gino (KLA-Tencor, CA, USA) ,  CROSS Andrew (KLA-Tencor, CA, USA) ,  INDERHEES Gregg (KLA-Tencor, CA, USA) ,  PARISI Paolo (KLA-Tencor, CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8324  号： Pt.1  ページ： 83240L.1-83240L.13  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リピーター分析の後の光暗視野ウェハ検査はEUVパターンマスク上の最大数のプログラムされた自然欠陥を発見するのに使用される。レチクル起源欠陥への最大感度に対するウェハ検査の完全な最適化を検討した。これは検査およびレシピが如何なる効果を持つかのみでなく,レチクルおよびウェハ配置をも示し,さらに,ウェハ欠陥捕捉率にも重要な影響を与えることを示した。厳密な結合波形解析(RCWA)法によるシミュレーションの支援により,ウェハスタックの個々のアスペクトを最適化することが可能であり,寸法400nm²を超える欠陥の96%を捕捉できた。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  欠陥検査 ,  ウエハ【IC】 ,  シミュレーション ,  *レチクル
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： EUVリソグラフィ ,  最先端 ,  欠陥検査 ,  ツール ,  調査