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J-GLOBAL ID：201202256928981233   整理番号：12A0460391

迅速熱サイクル焼なましをした場合,しない場合の,原子層析出法で作製した酸化アルミニウムのp-Si上基板との界面近くのエネルギー帯図の容量-電圧測定による作成

Energy Band Diagram near the Interface of Aluminum Oxide on p-Si Fabricated by Atomic Layer Deposition without/with Rapid Thermal Cycle Annealing Determined by Capacitance-Voltage Measurements

著者 (12件)： SATOH Nobuo (Dep. of Electrical Engineering, Kyoto Univ., JPN) ,  SATOH Nobuo (ECN Solar Energy, NLD) ,  CESAR Ilkay (ECN Solar Energy, NLD) ,  LAMERS Machteld (ECN Solar Energy, NLD) ,  ROMIJN Ingrid (ECN Solar Energy, NLD) ,  BAKKER Klaas (ECN Solar Energy, NLD) ,  OLSON Carol (ECN Solar Energy, NLD) ,  SAYNOVA Desislava Oosterling (ECN Solar Energy, NLD) ,  KOMATSU Yuji (ECN Solar Energy, NLD) ,  WEEBER Arthur (ECN Solar Energy, NLD) ,  VERBAKEL Frank (Philips Res., NLD) ,  WIGGERS Michiel (Philips Res., NLD)
資料名： e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)  (e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 10  ページ： 22-28 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： U0016A  ISSN： 1348-0391  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層析出法(ALD)で作製した酸化アルミニウム(Al₂O₃)膜で不動態化したp型ケイ素を用い,迅速熱サイクル焼なまし(RTCA)の前と後に容量-電圧(C-V)測定を行って,固定電荷(Q_f)及び界面状態密度(D_it)を評価した。C-V測定から,表面電位(V_S),蓄積幅,及び減衰幅を求め,その結果,エネルギー帯図が得られた。約100mVの障壁高さは,p型Si基板との界面の近くのAl₂O₃層における固定負電荷によって誘起されたことがわかった。RTCAにより作られたAl₂O₃不動態化層の電界効果は,ゲート電圧(V_G)に依存せず強いままであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  P型半導体 ,  *酸化アルミニウム ,  化学蒸着 ,  蒸着膜 ,  界面 ,  焼なまし ,  熱サイクル ,  不動態皮膜 ,  容量電圧特性 ,  電荷 ,  状態密度 ,  表面準位 ,  表面電位 ,  蓄積層 ,  帯電 ,  減衰特性 ,  ポテンシャル障壁 ,  電場効果 ,  電圧 ,  ゲート【半導体】 ,  *電場 ,  *基板 ,  *バンド構造
準シソーラス用語： ALD【蒸着】 ,  固固界面 ,  固定電荷 ,  界面状態密度 ,  電荷蓄積 ,  *エネルギー帯 ,  エネルギーバンド ,  電界効果 ,  ゲート電圧 ,  *裏面電界

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (32件)：

• [1] S. Narasimha, A. Rohatgi, and A. W. Weeber, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1363 (1999).
• [2] A. G. Aberle, Crystalline silicon solar cells: advanced surface passivation and analysis (UNSW Photovoltaics, 2004), 81.
• [3] G. Agostinelli, A. Delabie, P. Vitanov, Z. Alexieva, H. F. W. Dekkers, S. De Wolf, and G. Beaucarne, Solar Energy Materials and Solar Cells 90, 3438 (2006).
• [4] B. Hoex, J. Schmidt, P. Pohl, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Appl. Phys. 104, 044903 (2008).
• [5] J. Schmidt, A. Merkle, R. Brendel, B. Hoex, M. C. M. v. d. Sanden, and W. M. M. Kessels, Prog. Photovolt: Res. Appl. 16, 461 (2008).

タイトルに関連する用語 (10件)： 熱サイクル ,  焼なまし ,  原子層 ,  析出 ,  作製 ,  酸化アルミニウム ,  Si ,  界面 ,  エネルギー帯 ,  電圧測定