微細チャネルミストCVDによる伝導性高結晶度のSnドープα-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>の好結果成長

KAWAHARAMURA Toshiyuki; DANG Giang T.; FURUTA Mamoru

文献

J-GLOBAL ID：201202257173876414 整理番号：12A0705977

微細チャネルミストCVDによる伝導性高結晶度のSnドープα-Ga₂O₃の好結果成長

Successful Growth of Conductive Highly Crystalline Sn-Doped α-Ga₂O₃ Thin Films by Fine-Channel Mist Chemical Vapor Deposition

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資料名：
巻： 51 号： 4,Issue 1 ページ： 040207.1-040207.3 発行年： 2012年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

Snドープα相酸化ガリウム(Ga₂O₃)を,微細チャンネルミストCVD法により,400°Cのc面サファイア基板上に,高結晶度で20nm/min以上の成長速度で成長させた。この薄膜は,塩化Sn(II)から,SnCl₂+H₂O₂+2HCl→SnCl₄+2H₂O反応により得られるSn(IV)原子をドープした。伝導性α相Ga₂O₃薄膜を,10原子%以下のSn(IV)を含む源溶液から,成長させることに成功した。4原子%のSn(IV)を含む源溶液からは,n型で伝導度が0.28Scm^-1,移動度が0.23cm²V^-1s^-1,キャリア密度が7x10¹⁸cm^-3および(0006)反射X線ロッキングカーブの半値全幅(FWHM)が低い64arcsecの薄膜を得た。(翻訳著者抄録)

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酸化物薄膜

引用文献 (12件)：

1) D. Shmohara and S. Fujita: Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 7311.
2) M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 4166.
3) M. Orita, H. Hiramatsu, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono: Thin Solid Films 411 (2002) 134.
4) T. Oshima, T. Okuno, and S. Fujita: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 7217.
5) Z. Ji, J. Du, J. Fan, and W. Wang: Opt. Mater. 28 (2006) 415.

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微細チャネルミストCVDによる伝導性高結晶度のSnドープα-Ga2O3の好結果成長

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