文献

J-GLOBAL ID：201202257173876414   整理番号：12A0705977

微細チャネルミストCVDによる伝導性高結晶度のSnドープα-Ga₂O₃の好結果成長

Successful Growth of Conductive Highly Crystalline Sn-Doped α-Ga₂O₃ Thin Films by Fine-Channel Mist Chemical Vapor Deposition

著者 (3件)： KAWAHARAMURA Toshiyuki (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  DANG Giang T. (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  FURUTA Mamoru (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 4,Issue 1  ページ： 040207.1-040207.3  発行年： 2012年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Snドープα相酸化ガリウム(Ga₂O₃)を,微細チャンネルミストCVD法により,400°Cのc面サファイア基板上に,高結晶度で20nm/min以上の成長速度で成長させた。この薄膜は,塩化Sn(II)から,SnCl₂+H₂O₂+2HCl→SnCl₄+2H₂O反応により得られるSn(IV)原子をドープした。伝導性α相Ga₂O₃薄膜を,10原子%以下のSn(IV)を含む源溶液から,成長させることに成功した。4原子%のSn(IV)を含む源溶液からは,n型で伝導度が0.28Scm^-1,移動度が0.23cm²V^-1s^-1,キャリア密度が7x10¹⁸cm^-3および(0006)反射X線ロッキングカーブの半値全幅(FWHM)が低い64arcsecの薄膜を得た。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *酸化ガリウム ,  三方晶系 ,  基板 ,  サファイア ,  結晶度 ,  X線回折 ,  電気抵抗率 ,  *化合物半導体 ,  ドーピング ,  成長速度 ,  キャリア移動度 ,  キャリア密度 ,  ロッキングカーブ ,  FWHM ,  *薄膜成長 ,  結晶成長速度 ,  *ミストCVD ,  鉱石 ,  宝石
準シソーラス用語： *ミストCVD法

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (12件)：

• 1) D. Shmohara and S. Fujita: Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 7311.
• 2) M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 4166.
• 3) M. Orita, H. Hiramatsu, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono: Thin Solid Films 411 (2002) 134.
• 4) T. Oshima, T. Okuno, and S. Fujita: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 7217.
• 5) Z. Ji, J. Du, J. Fan, and W. Wang: Opt. Mater. 28 (2006) 415.

タイトルに関連する用語 (8件)： 微細 ,  チャネル ,  ミストCVD ,  結晶度 ,  Sn ,  ドープ ,  Ga2O3 ,  成長