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J-GLOBAL ID：200902167945450405   整理番号：02A0686148

高導電性で深紫外透明なβ-Ga₂O₃薄膜の低い蒸着温度における作製

Preparation of highly conductive, deep ultraviolet transparent β-Ga₂O₃ thin film at low deposition temperatures.

著者 (5件)： ORITA M (JST-ERATO, Kawasaki, JPN) ,  HIRAMATSU H (JST-ERATO, Kawasaki, JPN) ,  OHTA H (JST-ERATO, Kawasaki, JPN) ,  HIRANO M (JST-ERATO, Kawasaki, JPN) ,  HOSONO H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 411  号： 1  ページ： 134-139  発行年： 2002年05月22日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 深紫外線に対して透明で,かつ高導電性の膜を実現するために,パ...

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 深紫外線

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分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高導電性 ,  深紫外 ,  β-Ga2O3 ,  薄膜 ,  蒸着温度 ,  作製