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J-GLOBAL ID：201202260741753552   整理番号：12A1216980

14nm技術ノードおよびそれを越える技術ノードを目指したキャラクタプロジェクションに基づく電子ビーム直接描画のためのマルチレベルパターン面積密度マップを用いた近接効果補正

Proximity effect correction using multilevel area density maps for character projection based electron beam direct writing toward 14nm node and beyond

著者 (5件)： OGINO Kozo (Fujitsu Semiconductor Ltd., Tokyo, JPN) ,  HOSHINO Hiromi (Fujitsu Semiconductor Ltd., Tokyo, JPN) ,  MARUYAMA Takashi (e-Shuttle Inc., Kanagawa, JPN) ,  MACHIDA Yasuhide (e-Shuttle Inc., Kanagawa, JPN) ,  SUGATANI Shinji (e-Shuttle Inc., Kanagawa, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8323  ページ： 832328.1-832328.11  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の補正方法を提案する。その補正方法は,様々なサイズを持つ全てのパターンがキャラクタプロジェクション(CP)方式で描かれ,電子散乱の領域に従ってサイズの異なるメッシュによるマルチレベルパターン面積密度マップを用いて,ドーズ変調や補助的なショット生成を行う。また,様々なサイズの全てのパターニングを,数少ないマスターCPを用いて描く可能性を研究した。更に,マスターCPによって支持される線幅の領域,および様々なサイズの全てのパターンを支持するのに必要なマスターCPの数を見積もった。また,14nm技術ノードのためのスループットに対する補助ショットの効果も見積もった。露光時間における補助ショットの割合は,65nm技術ノードにおいてテストパターンデータを縮小するとしても,12.1%以下であることが分かった。

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,  パターン形成 ,  幅 ,  時間 ,  散乱 ,  後方散乱 ,  近接効果
準シソーラス用語： 14nmノード ,  キャラクタプロジェクション ,  マルチレベルパターン ,  線幅 ,  多重コラムセル ,  *直接描画 ,  露光時間

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (10件)： ノード ,  キャラクタ ,  プロジェクション ,  電子ビーム ,  直接描画 ,  マルチレベル ,  面積 ,  密度 ,  マップ ,  近接効果補正