HIGUCHI Tohru について
Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN について
NAGANUMA Hiroshi について
Tohoku Univ., Sendai, JPN について
MIURA Jun について
Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN について
INOUE Yosuke について
Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN について
LIU Yi-Sheng について
Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA について
GLANS Per-Anders について
Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA について
GUO Jinghua について
Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA について
OKAMURA Soichiro について
Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN について
Transactions of the Materials Research Society of Japan について
ビスマス化合物 について
フェライト について
鉄化合物 について
マンガン化合物 について
コバルト化合物 について
ドーピング について
誘電体薄膜 について
強誘電体 について
強磁性体 について
電子構造 について
漏れ電流 について
エネルギーギャップ について
原子価 について
状態 について
伝導バンド について
価電子バンド について
軟X線 について
X線分光法 について
基板 について
溶液成長 について
RTA【熱処理】 について
CSD法 について
ビスマスフェライト について
価電子帯 について
原子価状態 について
伝導帯 について
漏洩電流 について
酸化物薄膜 について
絶縁体結晶の電子構造 について
軟X線 について
分光 について
CO について
薄膜 について
電子構造 について