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J-GLOBAL ID：201202261134575951   整理番号：12A0970454

SOI基板上のメサ分離型標準バルクCMOS素子の絶縁耐圧評価

Breakdown Voltage Evaluation of Mesa-Post-Isolated Standard CMOS Devices

著者 (3件)： 平川淳 (東大) ,  森下賢志 (東大) ,  三田吉郎 (東大)
資料名： 電気学会マイクロマシン・センサシステム研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： MSS-12  号： 1-22  ページ： 59-63  発行年： 2012年06月11日 
JST資料番号： L2898B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 標準的なCMOS回路を絶縁層を埋め込んだシリコン基板(SOI)上に作製し,深掘MEMS後加工によって素子分離することで,島状に点在して完全に絶縁された素子が直列接続された高耐圧回路を作ることができる。本実験では,SOI基板に作製された,公称耐圧が5VのMOSFETアレイチップにポストプロセスを施して,OFF状態のPおよびNチャネルのMOSFETを27個直列接続したものを作製した。この縦積みMOSFETの設計耐圧は5V×27=135Vである。この直列トランジスタのオフ電流-電圧特性測定し,設計耐圧を満足していることを確認した。この結果により,集積化縦積みスイッチ回路が直流に対して高耐圧であることが示された。

シソーラス用語： *SOI構造 ,  *基板 ,  *メサ構造 ,  *アイソレーション【IC】 ,  *CMOS構造 ,  *絶縁耐力 ,  MEMS ,  後処理 ,  超LSI ,  絶縁破壊 ,  N型半導体 ,  MOSFET ,  P型半導体

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (8件)：

• (1) K. Takahashi, H. N. Kwon, M. Mita, H. Fujita, H. Toshiyoshi, K. Suzuki, and H. Funaki : “Monolithic integration of high voltage driver circuits and MEMS actuators by ASIC-like postprocess" , The 13th Inter-national Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems, 2005. Digest of Technical Papers. TRANSDUCERS '05, Vol. 1, pp. 417-420 (2005-6)
• (2) T. J. Brosnihan, J. M. Bustillo, A. P. Pisano, and R. T. Howe, “Embedded interconnect and electrical iso-lation for high-aspect-ratio, SOI inertial instruments" , International Conference on Solid-State Sensors and Ac-tuators. Digest of Technical Papers, Vol. 1, pp. 637-40 (1997)
• (3) H. Takao, T, Ichikawa, T. Nakata, K. Sawada, and M. Ishida : “Post-CMOS integration technology of thick-film SOI MEMS devices using micro bridge intercon-nections" , Proceedings of the IEEE International Con-ference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS), pp. 359-62 (2008)
• (4) S. Morishita, M. Kubota, K. Asada, I. Mori, F. Marty, and Y. Mita : “A bridge-connected isolated silicon islands post-processing method for fine-grain-integrated ± 10V-Operating CMOS-MEMS by stan-dard 5V CMOS process technology" , 21st Workshop on Micromechanics and Microsystems Workshop, pp.48-51 (2010)
• (5) D. B. Go and D. A. Pohlman : “A mathematical model of the modified Paschen' s curve for breakdown in mi-croscale gaps", Journal of Applied Physics, Vol. 107, No. 10 (2010-5)

タイトルに関連する用語 (6件)： SOI基板 ,  標準 ,  バルク ,  CMOS素子 ,  絶縁耐圧 ,  評価