文献

J-GLOBAL ID：201202261724233169   整理番号：12A0023131

オフ角制御高圧高温合成IIa型基板上へのCVD単結晶ダイヤモンドの合成と評価 2~CH₄濃度による特性変化~

著者 (12件)： 金子純一 (北大 院工学研究院) ,  佐竹良太 (北大 院工学研究院) ,  藤田文行 (北大 院工学研究院) ,  今野雄太 (北大 院工学研究院) ,  西紀彦 (北大 院工学研究院) ,  後藤拓人 (北大 院工学研究院) ,  渡辺幸志 (産業技術総合研) ,  茶谷原昭義 (産業技術総合研) ,  梅澤仁 (産業技術総合研) ,  坪内信輝 (産業技術総合研) ,  鹿田真一 (産業技術総合研) ,  磯部光孝 (核融合科研)
資料名： ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集
巻： 25th  ページ： 258-259  発行年： 2011年12月07日 
JST資料番号： L1241A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 基板 ,  *ダイヤモンド ,  単結晶 ,  プラズマCVD ,  陰極線ルミネセンス ,  イオンエッチング ,  残留応力 ,  放射線検出器 ,  *α粒子検出 ,  *エピタクシー ,  アルカン ,  高温高圧合成 ,  自立膜 ,  電荷収集 ,  *鉱石 ,  *宝石

分類 (1件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (5件)： オフ角 ,  高圧高温 ,  CVD ,  単結晶ダイヤモンド ,  評価