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J-GLOBAL ID：201202261859010852   整理番号：12A1371099

高分解能X線回折によるInAs/GaSb超格子構造特性に関する研究

Studies on InAs/GaSb superlattice structural properties by high resolution x-ray diffraction

著者 (4件)： ZHOU Yi (Key Lab. of Infrared Imaging Material and Detectors, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  CHEN Jianxin (Key Lab. of Infrared Imaging Material and Detectors, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  XU Qingqing (Key Lab. of Infrared Imaging Material and Detectors, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  HE Li (Key Lab. of Infrared Imaging Material and Detectors, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 5  ページ： 051203-051203-6  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,InAs/GaSb超格子構造特性に関する研究を述べた。超格子材料を,分子ビームエピタクシーにより成長させ,高分解能X線回折により測定し,測定したX線ロッキングカーブを,超格子構造を十分に分析するために,シミュレートしたものにフィットさせた。InAs層,GaSb層及び二つの界面層を含む四層モデルをシミュレーションに用いた。結果は,二つの界面層が,InSbAsの三元化合物であり,それぞれ,GaSb上InAs界面において0.99のSb組成,及びInAs上GaSb界面において0.01のSb組成を示した。これは,著者らの知識では,InAs/GaSb超格子界面構造の詳細な分析に関する最初の論文である。実験はまた,エピタキシャル成長中におけるAsフラックスが,界面層InSbAs組成,したがって,超格子と基板との間の格子不整合に影響を与えることを実証した。1×10^-5から3×10^-6TorrへのAsビーム等価圧力変化により,格子不整合は,3.2×10^-3から5×10^-4へ減少した。異なる回折形状下におけるBraggピーク広がりの分析に関する測定は,広がりが,超格子周期及び格子不整合の両者に依存することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *アンチモン化ガリウム ,  *MBE成長 ,  *X線回折 ,  ロッキングカーブ ,  格子不整合 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  *人工超格子 ,  *界面 ,  曲線あてはめ ,  スペクトルシミュレーション
準シソーラス用語： Braggピーク

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高分解能X線回折 ,  InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  構造特性 ,  研究